"Elektrifizierung Ihres Weges zum Erfolg durch gründliche Marktforschung"

3D-Nand-Flash-Marktgröße, Marktanteil und Branchenanalyse, nach Typ (Single-Level-Cell (SLC), Multi-Level-Cell (MLC), Triple-Level-Cell (TLC) und Quad-Level-Cell (QLC)), nach Anwendung (Smartphones, Tablets, Laptops und PCs, Solid-State-Laufwerke (SSDs) und andere), nach Endbenutzer (Unterhaltungselektronik, Automobil, Gesundheitswesen, IT und Telekommunikation und andere), nach Vertriebskanal (Direktvertrieb, Distributoren, und Online-Kanäle) und regionale Prognose, 2024-2032

Region: Global | Bericht-ID: FBI110079 | Status : Laufend

 

WICHTIGE MARKTEINBLICKE

3D-NAND-Flash ist eine Art nichtflüchtiger Speicher, der Speicherzellen vertikal in mehreren Schichten stapelt und so die Speicherkapazität und Leistung im Vergleich zu herkömmlichem planarem NAND verbessert. Diese vertikale Architektur ermöglicht eine höhere Speicherdichte, schnellere Lese-/Schreibgeschwindigkeiten, eine längere Lebensdauer und eine höhere Energieeffizienz. Dadurch ist 3D NAND kostengünstiger und zuverlässiger und eignet sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, von Unterhaltungselektronik wie Smartphones und Laptops bis hin zu Speicherlösungen für Unternehmen und IoT-Geräten. Führende Hersteller wie Samsung, Micron, SK Hynix und Intel stehen an der Spitze der 3D-NAND-Entwicklung und entwickeln ihre Fähigkeiten kontinuierlich weiter, um der wachsenden Nachfrage nach Speicherlösungen mit hoher Kapazität gerecht zu werden. Zum Beispiel


  • Im Januar 2024 gründete Samsung in den USA ein neues Forschungslabor, um 3D-DRAM der nächsten Generation zu entwickeln. Quellen zufolge zielt dieses Labor, das unter Device Solutions America (DSA) im Silicon Valley arbeitet, darauf ab, fortschrittliches DRAM zu entwickeln, um Samsungs Führungsposition auf dem globalen Markt für 3D-Speicherchips zu stärken.


Die COVID-19-Pandemie störte zunächst den Markt, indem sie zu Produktionsverzögerungen und Unterbrechungen der Lieferkette führte. Allerdings steigerte die Verlagerung auf Fernarbeit, Online-Bildung und der zunehmende digitale Konsum die Nachfrage nach Datenspeicherlösungen erheblich. Dieser Nachfrageschub wurde durch die beschleunigte Einführung der 5G-Technologie und IoT-Geräte weiter angeheizt.

Segmentierung




















Nach Typ


Nach Anwendung


Nach Endbenutzer


Nach  Vertriebskanal


Nach Region



  • Einstufige Zelle (SLC)

  • Mehrstufige Zelle (MLC)

  • Triple-Level-Zelle (TLC)

  • Quad-Level Cell (QLC)




  • Smartphones

  • Tabletten

  • Laptops und PCs

  • Solid-State-Laufwerke (SSDs)

  • Andere (USDB-Laufwerke, Speicherkarten)




  • Unterhaltungselektronik

  • Automobil

  • Gesundheitswesen

  • IT und Telekommunikation

  • Andere (Luft- und Raumfahrt und Verteidigung)




  • Direktvertrieb

  • Händler

  • Online-Kanäle




  • Nordamerika (USA, Kanada und Mexiko)

  • Südamerika (Brasilien, Argentinien und übriges Südamerika)

  • Europa (Großbritannien, Deutschland, Frankreich, Italien, Spanien, Russland, Benelux, Skandinavien und das übrige Europa)

  • Naher Osten und Afrika (Türkei, Israel, GCC, Nordafrika, Südafrika und der Rest des Nahen Ostens und Afrikas)

  • Asien-Pazifik (China, Indien, Japan, Südkorea, ASEAN, Ozeanien und der Rest des asiatisch-pazifischen Raums)



Wichtige Erkenntnisse


Der Bericht deckt die folgenden wichtigen Erkenntnisse ab:


  • Mikromakroökonomische Indikatoren

  • Treiber, Einschränkungen, Trends und Chancen

  • Geschäftsstrategien, die von wichtigen Akteuren übernommen wurden

  • Konsolidierte SWOT-Analyse der Hauptakteure


Analyse durch Endbenutzer


Die Unterhaltungselektronikbranche hält aufgrund der hohen Nachfrage nach Speicherlösungen in Geräten wie Smartphones, Tablets und Laptops, die große Speicherkapazitäten und schnelle Leistung erfordern, den höchsten Marktanteil. Die zunehmende Einführung fortschrittlicher Technologien in der Unterhaltungselektronik, wie 4K- und 8K-Videoaufzeichnung, Augmented Reality und Virtual Reality, treibt die Nachfrage nach 3D-NAND-Flash-Speichern weiter voran.

Es wird erwartet, dass die Automobilindustrie aufgrund der zunehmenden Integration fortschrittlicher Infotainmentsysteme, autonomer Fahrtechnologien und Konnektivitätsfunktionen in Fahrzeugen mit der höchsten CAGR wächst. Die Nachfrage nach leistungsstarken, zuverlässigen Speicherlösungen in diesen Anwendungen treibt die Einführung von 3D-NAND-Flash-Speichern voran und führt zu einem erheblichen Wachstum im Automobilsektor.

Regionale Analyse


Umfangreiche Einblicke in den Markt gewinnen, Anfrage zur Anpassung


Der globale 3D-NAND-Flash-Markt wurde in fünf Regionen untersucht: Nordamerika, Südamerika, Europa, Naher Osten und Afrika sowie Asien-Pazifik.

Der asiatisch-pazifische Raum hält aufgrund der Präsenz großer Halbleiterhersteller, der hohen Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und erheblicher Investitionen in die Technologieinfrastruktur in Ländern wie China, Südkorea und Japan den höchsten Marktanteil. Darüber hinaus treiben die zunehmende Einführung fortschrittlicher Technologien, die Präsenz wichtiger Marktteilnehmer und erhebliche Investitionen in Infrastruktur und F&E-Aktivitäten das Branchenwachstum voran. Zum Beispiel


  • Im Dezember 2023 gab SK Hynix Pläne bekannt, seine Forschung und Entwicklung für Hochleistungs-NAND durch die Rekrutierung von Experten von Intel voranzutreiben. 


Verteilung des globalen 3D-Nand-Flash-Marktes nach Herkunftsregion:


  • Nordamerika – 25 %

  • Südamerika – 7 %

  • Europa – 24 %

  • Naher Osten und Afrika – 12 %

  • Asien-Pazifik – 32 %


Nordamerika hält aufgrund der Präsenz großer Technologieunternehmen, der hohen Nachfrage nach fortschrittlicher Unterhaltungselektronik und erheblicher Investitionen in Rechenzentren und IT-Infrastruktur in der Region den zweithöchsten Anteil am Weltmarkt. Der starke Fokus auf Innovation und die frühzeitige Einführung neuer Technologien tragen ebenfalls zum erheblichen Marktanteil der Region bei.

Hauptakteure abgedeckt


Zu den Hauptakteuren auf diesem Markt gehören Samsung Electronics, SK Hynix, Micron Technology, Intel Corporation, Kioxia Corporation, Western Digital, YMTC, SanDisk, Fujitsu, Seagate Technology, ADATA Technology, Silicon Motion Technology Corporation, Phison Electronics Corporation und HGST.

Wichtige Branchenentwicklungen



  • Im Mai 2024 teilte SK Hynix Pläne zur Erforschung der Herstellung von 3D-NAND bei extrem niedrigen Temperaturen mit, die möglicherweise über 400 Schichten ermöglichen würden. Das Unternehmen schickte Testwafer an Tokyo Electron (TEL), um sein neues kryogenes Ätzgerät zu bewerten, das im Gegensatz zu aktuellen Geräten, die bei 0–30 °C arbeiten, bei -70 °C arbeitet.

  • Im Juni 2023 präsentierte Kioxia auf der IWM 2024-Konferenz in Seoul einen Fahrplan für 1.000-Schicht-3D-NAND und prognostizierte eine Die-Dichte von 100 Gbit/mm² bis 2027. Dies geschieht vor dem Hintergrund der Besorgnis des Partners Western Digital über steigende Herstellungskosten und einen sinkenden ROI.

  • Im März 2023 kündigten Western Digital und Kioxia Corporation ihre neueste 3D-Flash-Speichertechnologie an. Es nutzt fortschrittliche Skalierung und Wafer-Bonding, um außergewöhnliche Leistung, Kapazität und Zuverlässigkeit zu wettbewerbsfähigen Kosten zu bieten und so dem exponentiellen Datenwachstum in verschiedenen Marktsegmenten gerecht zu werden.


  • Laufend
  • 2023
  • 2019-2022

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