Galliumnitrid-Gerät Marktgröße, Anteil und COVID-19-Auswirkungsanalyse, nach Gerätetyp (Opto-Halbleitergerät, Leistungshalbleitergerät und HF-Halbleitergerät), nach Wafergröße (2-Zoll-Wafer, 4-Zoll-Wafer und 6- Zoll und höher Wafer), nach Komponente (Transistor, Diode, Gleichrichter, Leistungs-IC und andere), nach Anwendung (Lichterkennung und Entfernungsmessung, drahtloses und EV-Laden, Radar- und Satellitenfunkfrequenz und andere), nach Endbenutzer und Regionale Prognose, 2020-2027

Der weltweite Markt für Galliumnitrid (GaN)-Geräte betrug im Jahr 2019 20,56 Milliarden US-Dollar und wird voraussichtlich von 21,18 Milliarden US-Dollar im Jahr 2020 auf 28,40 Milliarden US-Dollar im Jahr 2027 wachsen, bei einer jährlichen Wachstumsrate von 4,28 % im Zeitraum 2020–2027. Der Anstieg der CAGR ist auf die Nachfrage und das Wachstum dieses Marktes zurückzuführen und kehrt nach dem Ende der Pandemie wieder auf das Niveau vor der Pandemie zurück. Die globalen Auswirkungen von COVID-19 waren beispiellos und erschütternd, da sich Galliumnitrid (GaN)-Geräte inmitten der Pandemie positiv auf die Nachfrage in allen Regionen auswirkten. Basierend auf unserer Analyse wird der globale GaN-Gerätemarkt im Jahr 2020 ein Wachstum von 1,03 % im Vergleich zum durchschnittlichen jährlichen Wachstum im Zeitraum 2016–2019 aufweisen.

Galliumnitrid (GaN) ist ein technologisch fortschrittliches Halbleiterbauelement mit dritter Bandlücke. Das GaN-Bauelement eignet sich gut für Hochleistungstransistoren und kann bei hohen Temperaturen betrieben werden. Große elektrische Felder, höhere Energieeffizienz, höhere Sättigungsgeschwindigkeit, Durchbruchspannung und Wärmeleitung sind die Hauptmerkmale des GaN-basierten Geräts. Im Februar 2020 arbeiteten STMicroelectronics und Taiwan Semiconductor Manufacturing Company zusammen, um die Entwicklung der GaN-Prozesstechnologie für die Bereitstellung von integrierten und diskreten Bauteilen zu beschleunigen.

COVID-19-Pandemie steigert die Nachfrage, gestützt durch höhere Verkäufe von IoT-basierten Systemen

Die COVID-19-Pandemie hat sich positiv auf den Markt ausgewirkt. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach Elektronikprodukten und -dienstleistungen im Zeitraum von März 2020 bis September 2020 zurückzuführen. Die USA, China und die Europäische Union führen nationale Sperren ein, um die Auswirkungen des Coronavirus zu verringern. Während der Lockdown-Ära haben mehrere multinationale Unternehmen strenge staatliche Regeln und Vorschriften erlassen, um eine Work-from-Home-Kultur zu schaffen, die die wachsende Nachfrage nach Elektronikprodukten wie Mobiltelefonen, Ladegeräten, Laptops und IoT-basierten Geräten widerspiegeln soll. Die hohe Nachfrage nach Schnellladegeräten und IoT-basierten Diensten dürfte den Absatz von Galliumnitrid-basierten Halbleitersystemen direkt steigern. Die COVID-19-Pandemie würde die Lieferkette verbessern und zu einem Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Halbleiterbauelementen führen. Daher wird erwartet, dass es einen positiven Effekt auf den Markt haben wird.

Von allen Regionen zeigte der Markt in Nordamerika und im asiatisch-pazifischen Raum aufgrund des verbesserten Supply Chain Management von Herstellern. Unternehmen mit Sitz im asiatisch-pazifischen Raum, wie Toshiba Corporation und Mitsubishi Electric Corporation, haben die Betriebsaktivitäten von GaN-Geräten verbessert, um ihren Bedarf zu decken. Es wird erwartet, dass dadurch die Auslieferungen von GaN-basierten Systemen deutlich steigen werden. Allerdings investieren mehrere Unternehmen wie Cree, Inc., Infineon Technologies AG und EPISTAR Corporation in die digitale Transformation von GaN-Geräten, um eine bessere Produktivität, Agilität und Konnektivität zu bieten. Dadurch kann sich der Markt im Zeitraum 2022–2027 erholen.

NEUESTE TRENDS

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Die Einführung schneller mobiler Ladegeräte mit GaN-Technologie ist ein bedeutender Trend 

Die Integration der GaN-Technologie bietet Mobiltelefonen Schnellladekapazität. Im September 2020 gab BBK Electronics (OPPO Company) die vollständige Einführung von Galliumnitrid-Leistungs-ICs bekannt, um die Produktion ultradünner 50-Watt-Schnellladegeräte zu ermöglichen. Der Einsatz von GaN-Komponenten und integrierten Steuerungslösungen soll die Ladezeit von Mobiltelefonen verkürzen. Galliumnitrid-Geräte werden zur Verwaltung der Ultrahochfrequenz-Stromversorgungslösungen eingesetzt und lösen eine Revolution im Bereich der Stromversorgung aus. Der zunehmende Einsatz von Galliumnitrid-Halbleitern im Radardesign dürfte das Marktwachstum vorantreiben. Darüber hinaus werden GaN-Halbleiter in Kampfflugzeugen zum Bau taktischer Funkgeräte für die Breitbandkommunikation eingesetzt.

ANTRIEBSFAKTOREN

Zunehmender Einsatz von GaN für kommerzielle Anwendungen zur Förderung des Wachstums

Es wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach energieeffizienten GaN-Geräten und Leistungshalbleitern in der kabelgebundenen Kommunikation das Marktwachstum vorantreiben wird. Dieses Wachstum ist auf die Ausweitung des Telekommunikationsbereichs zurückzuführen, da sich verschiedene Internetdienstanbieter hauptsächlich darauf konzentrieren, Netzwerke mit höherer Kapazität, allgegenwärtiger Konnektivität und geringerer Latenz über optische Kabel bereitzustellen. Die auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid basierenden Halbleiter sind energieeffizient, da sie eine höhere Energieeffizienz bei geringeren Kosten ermöglichen. Infineon Technologies stellt Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) für die Entwicklung von Leuchtdioden (LEDs) und Blitzableitern her, um einen externen Spaltschutz für Leistungstransformatoren bereitzustellen.

Der potenzielle Einsatz von Galliumnitrid in der 5G-Infrastruktur dürfte das Marktwachstum ebenfalls steigern. Die 4G-Technologie wird hinsichtlich Verkehrskapazität, Latenz, Energieeffizienz und Datenraten durch 5G-Technologien ersetzt. Die 5G-Technologie soll voraussichtlich im Jahr 2021 kommerziell eingeführt werden. Sie würde zahlreiche Vorteile bieten, beispielsweise ein effizienteres Kommunikationsnetz bei geringeren Kosten. Telekommunikationsgiganten wie AT&T und Nokia beteiligen sich an der Forschungs- und Entwicklungsinitiative (F&E), um die 5G-Technologie in den gesamten USA aufzubauen.

Zunehmender Einsatz von GaN-basierten Komponenten in der Verteidigungsindustrie zur Förderung des Wachstums

Es wird erwartet, dass der zunehmende Einsatz technologisch fortschrittlicher GaN-Systeme im Verteidigungs- und Luft- und Raumfahrtsektor das Marktwachstum ankurbeln wird. Das Wachstum ist auf den steigenden Bedarf an erhöhter Bandbreite sowie Leistungszuverlässigkeit in der Funkkommunikation, bei Radargeräten, in der elektronischen Kriegsführung und anderen Bereichen zurückzuführen. Aufgrund seiner Festigkeit und Härte ist das SiC-Material eine ideale Wahl für die Herstellung kugelsicherer Jacken. GaN-basierte ICs werden in Radargeräten verwendet, um eine effiziente Navigation und Echtzeit-Flugsicherung zu ermöglichen . Darüber hinaus kann GaN höhere Betriebsfrequenzen für militärische Störsender, terrestrische Funkgeräte und Radarkommunikation bereitstellen. Es wird prognostiziert, dass der zunehmende Einsatz von Breitband-GaN-Leistungstransistoren bei mehreren Verteidigungskräften weltweit das Wachstum unterstützen wird.

HEIMENDE FAKTOREN

Kürzung des Verteidigungsbudgets kann Wachstum begrenzen

Das Haushaltsamt des US-Kongresses schätzt, dass das Haushaltsdefizit des Bundes im laufenden Haushaltsjahr (2020-2021) 3,7 Billionen US-Dollar beträgt und im Haushaltsjahr 2021 aufgrund der hohen Ausgaben für den Haushalt bis zu 2 Billionen US-Dollar überschreiten wird Erholung von COVID-19. Es soll langfristige Auswirkungen auf den Verteidigungshaushalt haben. Der Verteidigungshaushalt wurde aufgrund des Defizits im Bundeshaushalt gekürzt. Die Reduzierung des Verteidigungsbudgets wird sich direkt auf die geringere Nachfrage nach militärischen Radargeräten auswirken , taktische Funkgeräte und softwaredefinierte Funkgeräte. Es wird die Dynamik dieser globalen Industrie weiter verändern. Darüber hinaus sind die hohen Entwicklungs- und Wartungskosten, die mit der Herstellung von Galliumnitrid-Komponenten verbunden sind, ein Hauptfaktor, der das Wachstum dieses Marktes behindern könnte.

SEGMENTIERUNG

Nach Gerätetypanalyse

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Optohalbleiter-Gerätesegment wird durch steigende Nutzung von Solarzellen und Lasern dominiert

Auf der Grundlage des Gerätetyps ist der Markt in Optohalbleitergeräte, Leistungshalbleitergeräte und HF-Halbleitergeräte unterteilt. Das Segment Opto-Halbleitergeräte hatte im Jahr 2019 einen dominanten Marktanteil bei Galliumnitrid-Geräten. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach Opto-Halbleitergeräten in den Anwendungen Solarzellen, Fotodioden, Laser, LEDs und Optoelektronik zurückzuführen. Darüber hinaus werden Optohalbleiter hauptsächlich in Luft- und Raumfahrtanwendungen wie gepulsten Lasern und Licht eingesetzt Detection and Ranging (LiDAR), was das Segmentwachstum vorantreiben würde.

Der Leistungshalbleiter wird hauptsächlich in Satelliten, Raumfähren und Flugzeugen zur Stromversorgung eingesetzt. Es wird prognostiziert, dass das HF-Halbleitersegment im Prognosezeitraum eine höhere CAGR verzeichnen wird, was auf den zunehmenden Einsatz dieses Geräts in fortschrittlichen Mobilkommunikationsanwendungen zurückzuführen ist. Es verfügt über zahlreiche vorteilhafte Eigenschaften, wie z. B. eine hohe Stromverstärkung und einen geringen Stromverbrauch im ausgeschalteten Zustand.

Nach Wafergrößenanalyse

Das 4-Zoll-Wafer-Segment hält dank der Verwendung in Hochleistungsverstärkern den höchsten Marktanteil

Auf der Grundlage der Wafergröße wird der Markt in 2-Zoll-Wafer, 4-Zoll-Wafer und 6-Zoll-Wafer und mehr unterteilt. Die 2-Zoll-Größe ist eine Kombination esoterischer Verbindungen wie Indiumphosphid und Graphen. Es wird hauptsächlich in Verteidigungsanwendungen eingesetzt. Das 4-Zoll-Wafer-Segment hielt im Prognosezeitraum den größten Marktanteil. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach optoelektronischen Geräten, Telekommunikations-Frontends, Hochleistungsverstärkern und Hochtemperaturgeräten zurückzuführen. Auch die Anpassungsfähigkeit eines 4-Zoll-Substrats für Weltraumkommunikationsanwendungen wird das Wachstum beschleunigen.

Es wird prognostiziert, dass das Wafersegment mit 6 Zoll und mehr im Prognosezeitraum eine höhere CAGR verzeichnen wird. Dieses Wachstum wird durch die zunehmende Verwendung dieses Wafers in Verteidigungsgeräten mit hoher Durchbruchspannung und geringem Leckstrom vorangetrieben. Auch die zunehmende Verbreitung dieses Wafers in kommerziellen Anwendungen, etwa in Kollisionsvermeidungssystemen für Kraftfahrzeuge und drahtlosen Mobilfunkbasisstationen, würde zum Wachstum beitragen.

Nach Komponentenanalyse

Transistor-Segment wird durch zunehmende Verbreitung in 4G-fähigen Geräten positiv überrascht

Basierend auf Komponenten ist der Galliumnitrid-Gerätemarkt in segmentiert Transistor, Diode, Gleichrichter, Leistungs-IC und andere. Aufgrund der zunehmenden Verbreitung von Transistoren in 4G-fähigen Geräten wird das Transistorsegment in den kommenden Jahren einen dominanten Marktanteil einnehmen. Darüber hinaus würde auch der zunehmende Einsatz von GaN-Transistoren in Antriebssystemen für Elektrofahrzeuge in Form von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Feldeffekttransistoren das Wachstum fördern.

Dioden werden verwendet, um Signale von Versorgungsquellen zu isolieren. Sie sind elektrische Rückschlagventile und ermöglichen den Stromfluss von Plus nach Minus nur in eine Richtung. Gleichrichtung, Lichtemission und induktive Lastableitung sind einige der Hauptmerkmale von Dioden.

Gleichrichter sind Stromwandler, die Wechselstrom (AC) in Gleichstrom (DC) und umgekehrt umwandeln. Sie dienen als Stromversorgung für Fernseher, Computerausrüstung und taktische Funkkommunikation.

Es wird erwartet, dass das Leistungs-IC-Segment im Prognosezeitraum eine erhebliche CAGR aufweisen wird. Dieses Wachstum ist auf den zunehmenden Einsatz von GaN-basierten Leistungs-ICs in drahtlosen Luftwaffenstützpunkten zur Verbesserung der Kommunikationszuverlässigkeit zurückzuführen. Das Segment „Andere“ besteht aus einer Gleichrichterdiode, die in verschiedenen Anwendungen verwendet wird, beispielsweise zum Gleichrichten einer Spannung, zum Umwandeln von Wechselspannung in Gleichspannung und zum Mischen verschiedener Signale.

Nach Anwendungsanalyse

Verstärkter Einsatz in Kampfflugzeugen zur Stärkung des Lichterkennungs- und Entfernungsmesssegments

In Bezug auf die Anwendung ist der Markt für Galliumnitrid-Geräte in Lichterkennung und Entfernungsmessung, drahtloses Laden und Laden von Elektrofahrzeugen, Radar und Satellitenfunkfrequenz und andere unterteilt. Es wird erwartet, dass das Segment Lichterkennung und Entfernungsmessung in den kommenden Jahren einen dominanten Marktanteil erreichen und generieren wird. Die Dominanz ist auf den zunehmenden Einsatz in Kampfflugzeugen zur Entfernungsberechnung zurückzuführen. Dies geschieht, indem das Ziel mit Hilfe von Laserlicht beleuchtet und die Reflexion mit einem Sensor berechnet wird. Es wird erwartet, dass die hohe Nachfrage nach UAV-LIDAR in Korridorkartierungsanwendungen das Wachstum ankurbeln wird.

Es wird erwartet, dass das Segment des kabellosen Ladens und Ladens von Elektrofahrzeugen eine deutliche durchschnittliche jährliche Wachstumsrate aufweisen wird. Dieses Wachstum ist auf die weltweit steigende Nachfrage nach Elektrofahrzeugen zurückzuführen. Bei Einsätzen auf dem Schlachtfeld können Kriegskämpfer 15 kg oder mehr Batterien mit sich führen, um ihre Funkgeräte und andere elektronische Geräte mit Strom zu versorgen, die für ihre Missionen von entscheidender Bedeutung sind. Durch das kabellose Laden und Laden von Elektrofahrzeugen entfällt wahrscheinlich die zusätzliche Belastung durch Batterien, wodurch die Effizienz des Soldaten bei Einsätzen auf dem Schlachtfeld erhöht wird.

Das GaN-basierte Radarsystem wurde entwickelt, um Flugzeuge und Marineschiffe vor Raketen, Artillerie, Marschflugkörpern und anderen Zielen zu schützen ="_blank" rel="noopener">unbemannte Luftfahrzeuge (UAVs), Mörser und andere schlecht sichtbare Ziele. Die Satellitenradiofrequenz wird für Satellitenkommunikation, Vollzeit-Satellitenfernsehnetze sowie Rohsatelliten-Feeds verwendet. Die X-Band-Radarfrequenz-Subbänder werden hauptsächlich in zivilen, militärischen und staatlichen Einrichtungen zur Flugsicherung, zur Kontrolle des Seeschiffverkehrs, zur Wetterüberwachung und zur Fahrzeuggeschwindigkeitserkennung für die Strafverfolgung eingesetzt.

Das andere Segment besteht aus Leistungstreibern. Sie revolutionieren die Welt der Energietechnik, indem sie die Geschwindigkeit verbessern, die Effizienz erhöhen und durch den Einsatz von Silizium-MOSFETs eine höhere Leistungsdichte bieten.

Nach Endbenutzeranalyse

Das Verteidigungssegment verzeichnet im Prognosezeitraum eine höhere CAGR

Im Hinblick auf die Endnutzer ist der Markt in Luft- und Raumfahrt, Verteidigung, Gesundheitswesen, erneuerbare Energien, Informations- und Kommunikationstechnologie und andere unterteilt. Es wird erwartet, dass das Segment der Informations- und Kommunikationstechnologie einen dominanten Anteil erlangt. Dies wäre auf die zunehmende Verbreitung der Internet-of-Things-Technologie (IoT) für kommerzielle Anwendungen zurückzuführen. Anwendungen wie Echtzeitanalysen, künstliche Intelligenz (KI) und Konnektivität können mit der Einführung von 5G daher Aktivitäten von lokalen Geräten hin zur Cloud-Technologie verlagern.

Im Luft- und Raumfahrtsegment werden GaN-Geräte hauptsächlich in kleinen Zellen, Remote-Radio-Head-Netzwerkverdichtungen und verteilten Antennensystemen (DAS) eingesetzt. Diese Geräte werden in Rechenzentren, Servern, Übertragungsleitungen, Basisstationen und in der Satellitenkommunikation eingesetzt. Die wachsende Nachfrage nach kostengünstigen IoT-Geräten und -Komponenten, KI-basierter medizinischer Bildgebung, Radiographie, Ultraschall und Magnetresonanztomographie in der Gesundheitsbranche dürfte das Wachstum begünstigen

Es wird erwartet, dass das Verteidigungssegment im Prognosezeitraum eine erhebliche CAGR prognostiziert. Dieses Wachstum wird auf die zunehmende Einführung von GaN-basierten Systemen im militärischen Radar und in der elektronischen Kriegsführung zurückgeführt , Gegen-IED-Störsender und 3G/4G-Basisstationen. Diese Geräte verfügen über einzigartige Eigenschaften und werden daher zum Bau effizienter optoelektronischer Industrieanlagen und Geräte für erneuerbare Energien und Hochtemperaturanwendungen in der Verbraucher- und Unternehmensindustrie verwendet.

REGIONALE EINBLICKE

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Der Markt für Galliumnitrid (GaN)-Geräte in Nordamerika belief sich 2019 auf 7,38 Milliarden US-Dollar. Der Markt in dieser Region dürfte im Prognosezeitraum der größte sein. Dieses Wachstum ist auf die Präsenz wichtiger Akteure in den USA zurückzuführen, nämlich Cree, Inc., Efficient Power Conversion Corporation, Macom, Microsemi, Northrop Grumman Corporation, Qorvo, Inc. und andere. Die Dominanz dieser Region ist auch auf die zunehmende Beschaffung von Galliumnitrid-Geräten und anderen verwandten Technologien in den USA und Kanada zurückzuführen. Private Firmen wie Texas Instruments Incorporated und Qorvo, Inc konzentrieren sich auf die Beschaffung von Mitteln für den Bau von GaN-basierten Geräten in den USA. 

Der Markt in Europa wird im Prognosezeitraum voraussichtlich erheblich wachsen. Dieses Wachstum ist auf die steigende Nachfrage nach drahtlosen Geräten in Großbritannien, Frankreich und Deutschland zurückzuführen. Es wird erwartet, dass die Luftfahrtindustrie in Großbritannien schrittweise eine fortschrittliche Energiemanagementlösung in SiC-Geräten für Stromversorgungs- und Motorsteuerungsanwendungen einführt. Das SiC ist eine Komponente mit geringem Gewicht, die hauptsächlich zur Reduzierung des Treibstoffverbrauchs und der Emissionen in der Luftfahrtindustrie eingesetzt wird.

Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich ein beträchtliches Wachstum verzeichnen, das durch die Präsenz wichtiger Marktteilnehmer in dieser Region wie Epistar Corporation, Mitsubishi Electric Corporation, Nichia Corporation und Toshiba Corporation unterstützt wird. Auch die hohe Nachfrage nach GaN-Geräten aus Schwellenländern wie China und Indien für den Einsatz in der Verteidigungsindustrie dürfte das Wachstum begünstigen.

Im Nahen Osten dürfte die steigende Nachfrage nach GaN-Geräten aus Saudi-Arabien für die Offshore-Öl- und Gasexploration sowie für medizinische Notfalldienste das Wachstum ankurbeln. Es wird geschätzt, dass auch der Rest der Welt aufgrund der zunehmenden Einführung der IoT-Technologie in Afrika und Lateinamerika ein erhebliches Wachstum verzeichnen wird.

WICHTIGSTE INDUSTRIE-AKTEURE

Hauptakteure konzentrieren sich auf die Geschäftsausweitung durch die Einführung neuer Produkte und die Unterzeichnung von Verträgen

Die Branche wird durch die Präsenz vieler dominanter Akteure repräsentiert, die bedeutende Marktanteile halten. Sie konzentrieren sich auf strategische Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen sowie Kooperationen. Die Wettbewerbslandschaft des Marktes zeigt die Dominanz ausgewählter Akteure wie Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Efficient Power Conversion Corporation, Epistar Corporation, GaN Systems und Macom. Die Hauptakteure konzentrieren sich hauptsächlich auf vielfältige Produktportfolios des globalen Galliumnitrid-Halbleiters, Bestandsmanagement, Lieferkettenmanagement, Wartung und andere Lösungen. Im Juni 2019 unterzeichneten Integra Technologies und die US Air Force (USAF) einen Vertrag zur Erweiterung der GaN-Gerätetechnologie für Radaranwendungen. Die Nitrid-GaN-Halbleitertechnologie wird hauptsächlich für Festkörper-Hochfrequenz-(RF)-Leistungsanwendungen verwendet.

LISTE DER WICHTIGSTEN UNTERNEHMEN IM PROFIL:

• Cree, Inc. (USA)


• Infineon Technologies AG (Deutschland)


• Efficient Power Conversion Corporation. (Die USA)


• Epistar Corporation (Taiwan)


• GaN Systems (Kanada)


• Macom (USA)


• Microsemi (USA)


• Mitsubishi Electric Corporation (Japan)


• Nichia Corporation (Japan)


• Northrop Grumman Corporation (USA)


• Nxp Semiconductors. (Niederlande)


• Qorvo, Inc (USA)


• Texas Instruments Incorporated. (Die USA)


• Toshiba Corporation (Japan)

WICHTIGE INDUSTRIEENTWICKLUNGEN:

• Im Mai 2021 ging Raytheon Technologies Corporation eine Partnerschaft mit GlobalFoundries ein, um einen Galliumnitrid (GaN)-auf-Silizium-Prozess für 5G- und 6G-HF zu entwickeln und zu vermarkten. Die GaN-Prozesstechnologie verbessert die HF-Leistung. Es hält die Betriebs- und Produktionskosten aufrecht und ermöglicht Leistungsniveaus und Leistungseffizienz für 5G- und 6G-HF-Millimeterwellen-Betriebsfrequenzstandards.


• Im Januar 2021 Yaskawa Electric Corporation, ein japanisches Unternehmen für Leistungselektronik, ging eine Partnerschaft mit Transphorm ein, einem GaN-basierten Anbieter von Stromumwandlungsprodukten in Kalifornien. Im Rahmen der Vereinbarung wird Yaskawa die GaN-Leistungsgeräte von Transphorm für industrielle Stromumwandlungsanwendungen verwenden, zu denen Frequenzumrichter und Servomotoren gehören.


• Im Februar 2021 unterzeichnete Northrop Grumman einen Vertrag im Wert von 236,9 Millionen US-Dollar mit dem US-Verteidigungsministerium zur Entwicklung von acht aktiven Galliumnitrid-Radarsystemen mit elektronischer Abtastung für das US-Marine Corps.


• Im April 2020 brachte Nexperia eine neue Reihe von GaN-FET-Geräten mit Hochspannungs-GaN-HEMT-H2-Technologie der nächsten Generation in TO-247- und CCPAK-Oberflächenmontagegehäusen auf den Markt. Die neue Technologie nutzt durchgehende Epi-Durchkontaktierungen, wodurch Defekte reduziert und die Chipgröße um etwa 24 % verkleinert werden.


• Im April 2020 brachte Transphorm Inc. SuperGaN-Leistungs-FETs zusammen mit der Gen IV GaN-Plattform auf den Markt. Die fortschrittliche Technologie des Unternehmens umfasst Fortschritte in Bezug auf Designfähigkeit, Leistung und Kosten im Vergleich zu seinen vorherigen GaN-Generationen.

BERICHTSBEREICH

Eine infografische Darstellung von Markt für Galliumnitrid (GaN)-Geräte

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Der Marktforschungsbericht für Galliumnitrid-Geräte bietet eine strukturierte Analyse des Marktes. Es konzentriert sich hauptsächlich auf Schlüsselaspekte wie führende Marktteilnehmer, Gerätetyp, Komponenten, Anwendungen, industrielle Präsenz globaler Galliumnitrid-GaN-Geräte und die führenden technologischen Trends des Marktes für GaN-Halbleitergeräte. Darüber hinaus bietet der Bericht Highlights wichtiger Branchenentwicklungen. Darüber hinaus bietet es mehrere Faktoren, die in den letzten Jahren zur Wachstumsrate des Marktberichts über GaN-Halbleitergeräte beigetragen haben.

Berichtsumfang und Segmentierung