Marktgröße, Anteil und Branchenanalyse für Leistungstransistoren, nach Typ (Bipolartransistor, Feldeffekttransistor, Heteroübergangsbipolartransistor und andere), nach Technologie (Niederspannungs-FETs, HF- und Mikrowellenleistung, Hochspannungs-FETs und IGBT-Transistor), nach Branche (Konsumelektronik, IT und Telekommunikation, Automobil, Fertigung und andere) und regionale Prognose, 2026–2034

ATTRIBUT

DETAILS

Studienzeit

2021-2034

Basisjahr

2025

Geschätztes Jahr

2026

Prognosezeitraum

2026-2034

Historische Periode

2021-2024

Wachstumsrate

CAGR von 12,30 % von 2026 bis 2034

Einheit

Wert (Milliarden USD)

Segmentierung

Nach Typ

• Bipolarer Sperrschichttransistor
• Feldeffekttransistor
• Bipolartransistor mit Hetero         - bergang
• Andere

Durch Technologie

• Niederspannungs-FETs
• HF- und Mikrowellenleistung
• Hochspannungs-FETs
• IGBT-Transistor

Nach Branche vertikal

• Unterhaltungselektronik
• IT & Telekommunikation
• Automobil
• Herstellung
• Andere

Nach Region

• Nordamerika (nach Typ, nach Technologie, nach Branche und nach Land)
  • USA (nach Branche)
  • Kanada (nach Branche)
  • Mexiko (nach Branche)
• Europa (nach Typ, nach Technologie, nach Branche und nach Land)
  • Großbritannien (nach Branche)
  • Deutschland (nach Branche)
  • Frankreich (nach Branche)
  • Italien (nach Branche)
  • Spanien (nach Branche)
  • Restliches Europa (nach Branche)
• Asien-Pazifik (nach Typ, nach Technologie, nach Branche und nach Land)
  • China (nach Branche)
  • Indien (nach Branche)
  • Japan (nach Branche)
  • S         - dkorea (nach Branche)
  • Übriger Asien-Pazifik-Raum (nach Branche)
• Naher Osten und Afrika (nach Typ, nach Technologie, nach Branche und nach Land)
  • GCC (nach Branche)
  •  S         - dafrika (nach Branche)
  • Rest des Nahen Ostens und Afrikas (nach Branche)
• S         - damerika (nach Typ, nach Technologie, nach Branche und nach Land)
  • Brasilien (nach Branche)
  • Argentinien (nach Branche)
  • Restliches S         - damerika (nach Branche)