Siliziumkarbid-Marktgröße, Marktanteil und Branchenanalyse, nach Gerät (SiC-Einzelgerät, SiC-Bare-Die, andere), nach Anwendung (Stromnetzgeräte, flexibles Wechselstrom-Übertragungssystem, Hochspannungs-Gleichstromsystem, Netzteile und Wechselrichter, HF-Geräte & Mobilfunk-Basisstation, Lichtsteuersystem, Ladestation für Elektrofahrzeuge, andere) und regionale Prognose 2023-2030

Siliziumkarbid, auch Carborundum genannt, ist ein Halbleiter, der aus Silizium und Kohlenstoff besteht. In der Natur kommt es als sehr seltenes Mineral Moissanit vor und wird synthetisch als SiC-Pulver hergestellt. Körner aus Siliziumkarbid können durch einen Sinterprozess miteinander verbunden werden, um harte Keramik zu bilden. Siliziumkarbid hat ein breites Anwendungsspektrum, darunter Autobremsen, Autokupplungen, LEDs, Detektoren und Keramikplatten in kugelsicheren Jacken und Westen.

Die steigende Nachfrage nach SiC-Halbleitern in elektronischen Geräten wie LEDs, Detektoren und Sensoren wird den Markt antreiben. Es wird erwartet, dass sich die zunehmende Nutzung erneuerbarer Energiequellen zur Stromerzeugung positiv auf den Markt auswirken wird. Darüber hinaus ist die zunehmende Stahlproduktion einer der Hauptfaktoren, die den Markt ankurbeln.

Es gibt jedoch kostengünstige Alternativen auf dem Markt für Siliziumkarbid. Galliumnitrid ist einer der Ersatzstoffe, die in Leistungsmodulen als Transistoren verwendet werden. Es wird erwartet, dass dies das Marktwachstum behindern wird.

Key Market Driver -

Growing demand for SiC devices in electronics.

Key Market Restraint -

Availability of cost-effective alternatives.

Marktsegmentierung für Siliziumkarbid:

Basierend auf dem Gerät ist der globale Siliziumkarbidmarkt in diskrete SiC-Geräte und SiC-Bare-Chips unterteilt. Je nach Anwendung ist der Markt in Stromnetzgeräte, flexible Wechselstromübertragungssysteme, Hochspannungs-Gleichstromsysteme, Netzteile und Wechselrichter, HF-Geräte und Mobilfunkbasisstationen, Lichtsteuerungssysteme, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und andere Anwendungen unterteilt.< /p>

Aus geografischer Sicht ist der Markt in Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, Lateinamerika sowie den Nahen Osten und Afrika unterteilt.

Abgedeckte Hauptakteure:

Der globale Siliziumkarbid-Markt besteht aus global und regional agierenden Akteuren. Zu den Hauptakteuren auf dem Markt gehören Infineon Technologies AG, CREE, INC, ST Microelectronics N.V, Fuji Electric Co., Ltd, General Electric, GeneSiC Semiconductor Inc., Toshiba Corporation, Powerex Inc. und andere.< stark> .

Wichtige Erkenntnisse

• Neue Fortschritte in den Produktionstechnologien


• Wichtige Trends auf dem Siliziumkarbid-Markt


• Neue Produkteinführungen, Erweiterungen, Hauptakteure


• Ranking der wichtigsten Marktteilnehmer

Regionale Einblicke in den Siliziumkarbid-Markt

Der Markt wurde in Nordamerika, Europa, den asiatisch-pazifischen Raum, Lateinamerika sowie den Nahen Osten und Afrika unterteilt. Der asiatisch-pazifische Raum war 2018 der größte Markt, was auf den hohen Verbrauch von Siliziumkarbid für elektrische Komponenten zurückzuführen ist. Darüber hinaus sollen Regierungsinitiativen zur Förderung der Nutzung sauberer Energie für Fahrzeuge das regionale Wachstum unterstützen. In Nordamerika und Europa wird ein erhebliches Wachstum erwartet, das auf die große Produktionsbasis von Halbleitergeräten und die erhebliche Nachfrage nach EV-Hybriden zurückzuführen ist. Lateinamerika, der Nahe Osten und Afrika werden bis zum Ende des Prognosezeitraums ein schleppendes Wachstum aufweisen.

Umfangreiche Einblicke in den Markt gewinnen, Anfrage zur Anpassung

Segmentierung

Entwicklungen in der Siliziumkarbid-Industrie

• Im November 2020 erweitert Infineon seine Lieferbasis für Siliziumkarbid mit fortschrittlichen GT-Technologien. Der Vertrag hat eine anfängliche Laufzeit von 5 Jahren für die Lieferung von SiC-Kugeln.


• Im Juni 2020 brachte Infineon ein neues Siliziumkarbid-Leistungsmodul für Elektrofahrzeuge auf den Markt. Das Produkt zeichnet sich durch hohe Effizienz, hohe Leistungsdichte und Leistung aus.