Tamaño del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC, participación y análisis de la industria, por producto (módulo de potencia Sic, módulo de potencia GaN, SiC discreto, GaN discreto), por aplicación (fuentes de alimentación, accionamientos de motores industriales, H/EV, inversores fotovoltaicos, tracción, Otros) Y Pronóstico Regional, 2024-2032

Los materiales de próxima generación que sustituirán al silicio, el SiC (carburo de silicio) y el GaN (nitruro de galio), están atrayendo mucha atención. Los semiconductores de potencia GaN y SiC son dispositivos de potencia pequeños y confiables que superan a los dispositivos basados ​​en silicio en términos de eficiencia. En una variedad de aplicaciones de energía, como electrónica automotriz, motores industriales e inversores fotovoltaicos, estos semiconductores de potencia de GaN y SiC ayudan a minimizar el volumen, el peso y los costos del ciclo de vida. El silicio es un material sencillo. SiC es una combinación de carbono y silicio, mientras que GaN es un compuesto de galio y nitrógeno. Como resultado, los semiconductores que utilizan estos productos químicos se denominan "semiconductores compuestos". El GaN y el SiC tienen una banda prohibida más grande que el silicio, lo que les valió el apodo de "semiconductores de banda prohibida ancha". “La intensidad del campo de ruptura dieléctrica se utiliza para identificar semiconductores de banda prohibida ancha. Cuando se pretende alcanzar la misma tensión de ruptura, esto permite fabricar la capa de tensión soportada considerablemente más delgada que la del silicio.

Las mejoras en la calidad de los sustratos de obleas de SiC utilizados en materiales semiconductores han dado lugar al uso de obleas de mayor diámetro en los últimos años. Como resultado, se han creado dispositivos de alta corriente y bajo costo que están comenzando a usarse en una variedad de equipos. Por otro lado, un sustrato de oblea de GaN sigue siendo caro, por lo que la mayoría de la gente utiliza una disposición horizontal con una capa activa de GaN producida sobre un sustrato de silicio de bajo coste. Se prevé que GaN se utilice en aplicaciones que necesitan una operación de conmutación de velocidad excepcionalmente alta, a pesar de que crear un producto de alta corriente es un desafío.

En 2020, la crisis pandémica tuvo una influencia significativa en el crecimiento de los mercados de semiconductores de potencia de GaN y SiC. Varios países impusieron un bloqueo, lo que resultó en el cierre de varios sitios de producción de líderes del mercado y fabricantes de equipos originales (OEM) de uso final, como fabricantes de vehículos eléctricos, fabricantes de componentes solares, etc. El cierre patronal, por otro lado, ha impulsado la tendencia hacia iniciativas de trabajo desde casa y ha brindado una oportunidad para que las empresas locales adquieran una ventaja sustancial en el segmento de dispositivos informáticos, UPS y otras áreas. Además, la pandemia ha alentado a las empresas de semiconductores de potencia de GaN y SiC a ampliar su presencia geográfica en nuevas ubicaciones para realinear las operaciones de la cadena de suministro.

Key Market Driver -

Factors like rising government initiatives, increasing penetration of electric vehicles and technology innovation are growing to drive the GaN & SiC Power Semiconductor Market.

Key Market Restraint -

High manufacturing cost and Usage of conventional silicon materials will restrain the market growth.

Jugadores clave

Semiconductor Alpha y Omega, Fuji Electric Co., Ltd, Infineon Technologies AG, Littelfuse, Inc., Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Renesas Electronics Corporation, ROHM SEMICONDUCTOR, SANKEN ELECTRIC CO.,LTD., STMicroelectronics, Epiluvac, IQE PLC, Transphorm Inc., SweGaN, Saint-Gobain, GeneSiC Semiconductor Inc., Sublime Technologies y otros son algunos de los actores clave de este mercado.

Análisis Regional

Debido al creciente número de instalaciones de plantas de energía solar en los Estados Unidos, se espera que la industria de semiconductores de potencia de GaN y SiC en América del Norte se desarrolle a un ritmo rápido. Según un comunicado de prensa emitido por la Asociación de Industrias de Energía Solar en diciembre de 2020, en el tercer trimestre de 2020,

En la región de Asia Pacífico, los dispositivos semiconductores de potencia de GaN y Sic están ganando rápidamente participación de mercado, y los dispositivos de GaN y Sic reemplazan progresivamente a sus equivalentes de silicio en muchas áreas de aplicaciones, como consumo y empresas, telecomunicaciones, automoción e industria. En términos de fabricación y distribución, China es el mayor proveedor de materias primas para el sector de semiconductores de banda ancha. También se prevé que esto tendrá una influencia beneficiosa indirecta en el crecimiento de las ventas del mercado de dispositivos semiconductores GaN y Sic en la región de Asia Pacífico.

Debido a los crecientes intentos del gobierno por promover la adopción de automóviles eléctricos en el país, el mercado de energía de GaN y SiC en Europa se está desarrollando a un ritmo fenomenal. El gobierno alemán, por ejemplo, afirmó en marzo de 2021 que proporcionaría dinero para infraestructuras de carga de vehículos eléctricos. Las empresas que participan en el mercado regional se beneficiarán de estos esfuerzos de apoyo, que les ayudarán a acelerar sus posibilidades de crecimiento.

Para obtener una visión más amplia del mercado, Solicitud de personalización

Segmentación

Desarrollos de la industria del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC

• En marzo de 2019, Alpha & Omega Semiconductor anunció el lanzamiento del dispositivo de nitruro de galio AONV070V65G1 en su plataforma de tecnología GAN. Este nuevo gadget tiene una salida de 650 V y 45 A, además de Rds de 70 mOhm. Esta nueva introducción completa la gama de productos Power MOSFET.


• En marzo de 2019, ON Semiconductor lanzó los dispositivos MOSFET de carburo de silicio (SiC) NTHL080N120SC1 y AEC-Q101 de grado automotriz NVHL080N120SC1. Estos nuevos dispositivos están pensados ​​específicamente para su uso con cargadores de a bordo de coches eléctricos.