Tamaño del mercado de RAM magnetoresistiva (MRAM), participación y análisis de la industria, por tipo de producto (MRAM de par de transferencia de giro (STT-MRAM), MRAM de palanca), por aplicación (electrónica de consumo, automoción, robótica, aeroespacial y defensa, almacenamiento empresarial, Otros) Y Pronóstico Regional, 2024-2032

RAM magnetoresistiva (MRAM), una tecnología de memoria que almacena información mediante el espín de los electrones. Varias empresas e investigadores están invirtiendo en el desarrollo de tecnología MRAM de próxima generación, lo que probablemente impulsará el crecimiento del mercado en un futuro próximo. La RAM magnetoresistiva puede funcionar en un entorno de alta temperatura y es resistente a manipulaciones. Por lo tanto, es muy adecuado para industrias como la manufacturera, aeroespacial, de defensa, automotriz y militar, entre otras, lo que probablemente aumentará la demanda.

Las MRAM son la tecnología de memoria energéticamente eficiente y tienen potencial para reemplazar la SRAM (memoria estática de acceso aleatorio), la DRAM (memoria dinámica de acceso aleatorio), la memoria flash, entre otras. Es más rápido, consume menos energía y es capaz de retener datos. Es probable que su funcionalidad de escritura y lectura más rápida que las tecnologías tradicionales impulse el crecimiento del mercado de RAM magneto-resistiva. Se espera que la creciente demanda de memoria independiente e integrada en dispositivos electrónicos de consumo, dispositivos portátiles y dispositivos inteligentes, entre otros, impulse el mercado. De manera similar, es probable que la creciente demanda de Internet de las cosas, dispositivos artificiales y realidad virtual y aumentada impulse la demanda de MRAM.

Key Market Driver -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

Key Market Restraint -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

Jugadores clave cubiertos:

Algunos de los actores clave en la RAM magnetorresistiva (MRAM) global son Everspin Technologies, Inc., Inc., Intel Corporation, IBM Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba Corporation, Spin Transfer. Technologies y Crocus Nano Electronics LLC, Avalanche Technology, Inc., Honeywell International, entre otros. Estas empresas están centrando la investigación y el desarrollo en sus amplias aplicaciones. Además, para ampliar la presencia comercial y la participación de mercado, las empresas están estableciendo asociaciones y colaboraciones estratégicas. Los actores clave también pretenden ofrecer productos innovadores y desarrollar nueva tecnología de memoria integrada.

Análisis Regional

Se espera que América del Norte gane una cuota de mercado dominante durante el período previsto. La presencia de actores dominantes en la región está impulsando el crecimiento. Además, el importante interés y la inversión en investigación y desarrollo de tecnología en memoria están impulsando la demanda de MRAM en la región. De manera similar, se espera que Europa obtenga un crecimiento significativo debido a la presencia de la industria automotriz dominante. La tecnología de memoria eficiente y resistente a la temperatura está ganando terreno en la industria automotriz del país. Es probable que esto impulse el crecimiento del mercado.

Es probable que Asia Pacífico obtenga un rápido crecimiento durante el período previsto debido a la creciente demanda de fabricación y usuarios de dispositivos portátiles. Las principales industrias de electrónica de consumo, dispositivos inteligentes y otras están adoptando constantemente la tecnología MRAM en la región para ofrecer memoria rápida y de alta capacidad. La región contiene varias empresas de fabricación de memorias que se espera que impulsen la demanda de MRAM. Además, se espera que la creciente penetración de Internet, la implementación de la nube y la infraestructura 5G, entre otros, impulsen el crecimiento del mercado de RAM magnetorresistiva. De manera similar, considerando las capacidades y aplicaciones de MRAM, se espera que su demanda en Medio Oriente, África y América del Sur crezca de manera constante.

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Segmentación

 Desarrollos clave de la industria

• febrero 2019 –  Intel Corporation anunció la disponibilidad de producción de MRAM. La compañía compartió sus detalles para incorporar el par de transferencia de giro (STT) MRAM en los dispositivos. La compañía anunció que está utilizando una técnica de detección de corriente de dos etapas y un esquema de "escritura-verificación-escritura" para desarrollar STT-MRAM.


• Marzo de 2020: Everspin Technologies, Inc., en asociación con el proveedor de informática inteligente Xilinx, Inc., lanzó una nueva guía de diseño para STT-MRAM de 1 Gb con el controlador FPGA DDR4 de Xilinx. La integración de la solución de dos empresas ofrece diversos beneficios como reducción de la frecuencia operativa, eficiencia en la transferencia de datos, entre otros.