Taille du marché de la RAM magnétorésistive (MRAM), part et analyse de l’industrie, par type de produit (Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM), Toggle MRAM), par application (électronique grand public, automobile, robotique, aérospatiale et défense, stockage d’entreprise, Autres) et prévisions régionales, 2024-2032

RAM magnétorésistive (MRAM), une technologie de mémoire stocke les informations en utilisant le spin électronique. Diverses entreprises et chercheurs investissent dans le développement de la technologie MRAM de nouvelle génération, ce qui est susceptible de stimuler la croissance du marché dans un avenir proche. La RAM magnétorésistive peut fonctionner dans un environnement à haute température et est inviolable. Ainsi, il convient parfaitement aux industries telles que la fabrication, l’aérospatiale, la défense, l’automobile et l’armée, entre autres, ce qui est susceptible d’augmenter la demande.

Les MRAM sont une technologie de mémoire économe en énergie et ont le potentiel de remplacer la SRAM (Static Random Access Memory), la DRAM (Dynamic Random Access Memory), la mémoire flash, entre autres. Il est plus rapide, consomme moins d’énergie et est capable de conserver des données. Sa fonctionnalité d’écriture et de lecture rapide par rapport aux technologies traditionnelles est susceptible de stimuler la croissance du marché de la RAM magnétorésistive. La demande croissante de mémoire autonome et intégrée dans les appareils électroniques grand public, les appareils portables et les appareils intelligents, entre autres, devrait stimuler le marché. De même, la demande croissante d’Internet des objets, d’appareils artificiels, de réalité virtuelle et augmentée est susceptible de stimuler la demande de MRAM.

Key Market Driver -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

Key Market Restraint -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

Acteurs clés couverts :

Certains des principaux acteurs du marché mondial de la RAM magnétorésistive (MRAM) sont Everspin Technologies, Inc., Inc., Intel Corporation, IBM Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc., Samsung Electronics Co. Ltd., Toshiba Corporation, Spin Transfer. Technologies, et Crocus Nano Electronics LLC, Avalanche Technology, Inc., Honeywell International, entre autres. Ces entreprises concentrent la recherche et le développement sur ses vastes applications. En outre, pour étendre leur présence commerciale et leur part de marché, les entreprises concluent des partenariats et des collaborations stratégiques. Les principaux acteurs visent également à fournir des produits innovants et à développer de nouvelles technologies de mémoire embarquée.

Analyse régionale

L’Amérique du Nord devrait gagner une part de marché dominante au cours de la période de prévision. La présence d’acteurs dominants dans la région stimule la croissance. En outre, l’intérêt et les investissements importants dans la recherche et le développement de technologies en mémoire stimulent la demande de MRAM dans la région. De même, l’Europe devrait connaître une croissance significative grâce à la présence d’une industrie automobile dominante. La technologie de mémoire efficace et résistante à la température gagne du terrain dans l’industrie automobile du pays. Cela devrait stimuler la croissance du marché.

L’Asie-Pacifique connaîtra probablement une croissance rapide au cours de la période de prévision en raison de la demande croissante des fabricants et des utilisateurs d’appareils portables. Les principaux secteurs de l'électronique grand public, des appareils intelligents et d'autres secteurs adoptent progressivement la technologie MRAM dans la région pour offrir une mémoire rapide et de grande capacité. La région compte diverses entreprises de fabrication de mémoires qui devraient stimuler la demande de MRAM. En outre, la pénétration croissante d’Internet, le déploiement du cloud et l’infrastructure 5G, entre autres, devraient stimuler la croissance du marché de la RAM magnétorésistive. De même, compte tenu des capacités et des applications de la MRAM, sa demande au Moyen-Orient, en Afrique et en Amérique du Sud devrait croître régulièrement.

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Segmentation

 Développements clés de l’industrie

• Février 2019 –  Intel Corporation a annoncé la disponibilité de la production de MRAM. La société a partagé ses détails sur l’intégration du couple de transfert de spin (STT) MRAM dans les appareils. La société a annoncé qu'elle utilisait une technique de détection de courant en deux étapes et un schéma « écriture-vérification-écriture » pour développer la STT-MRAM.


• Mars 2020 : Everspin Technologies, Inc., en partenariat avec le fournisseur d'informatique intelligente Xilinx, Inc., a publié un nouveau guide de conception pour 1 Go STT-MRAM avec le contrôleur FPGA DDR4 de Xilinx. L’intégration de la solution de deux sociétés offre divers avantages tels qu’une fréquence opérationnelle réduite, l’efficacité du transfert de données, entre autres.