SiCベースのパワーエレクトロニクスおよびインバーターの市場規模、シェアおよび新型コロナウイルス感染症の影響分析、タイプ別（パワーエレクトロニクスおよびインバーター）、最終用途産業別（自動車、家庭用電化製品、ITおよび通信、航空宇宙および防衛、その他）、および地域別の予測、2021 ～ 2028 年

SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーターの世界市場規模は、2020 年に 5 億 4,220 万米ドルで、2021 年の 6 億 6,310 万米ドルから 2028 年までに 58 億 1,650 万米ドルに成長すると予測されており、2021 年から 2028 年の期間で 36.4% の CAGR を示します。当社の分析によると、2020 年の世界市場は 21.5% という驚異的な成長を示しました。新型コロナウイルス感染症 (COVID-19) の世界的な影響は前例のない驚異的なもので、SiC ベースのパワー エレクトロニクスとインバーターはパンデミックのさなか、すべての地域でプラスの需要ショックを目の当たりにしています。 CAGR の上昇は、この市場の需要とパンデミックが終息すると成長がパンデミック前のレベルに戻ることに起因しています。

市場は、幅広い業界での SiC ベースの半導体の使用により、新型コロナウイルス感染症 (COVID-19) の最中およびその後に急激に成長すると予想されています。これには、先​​進国と発展途上国の自動車、IT および電気通信、航空宇宙および防衛、家庭用電化製品産業が含まれます。上記の産業分野でのこの材料の採用により、これらのパワー エレクトロニクスおよびインバーターの世界中での販売が強化されています。ワイドバンドギャップ半導体を使用することで、高温でのコンダクタンス損失が最小限に抑えられ、スイッチング損失が低くなり、従来のパワー半導体よりも入力損失が比較的少なくなります。より高い温度と電圧レベルで動作する高度な IC (集積回路) の開発需要の高まりと、継続的に発展するエレクトロニクス業界は、SiC ベースのパワー エレクトロニクスとインバーター市場の主要な推進要因の 1 つです。

新型コロナウイルス感染症のパンデミック: 製造部門の混乱が成長見通しを妨げる

2020 年初頭に新型コロナウイルス感染症 (COVID-19) が発生して以来、SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーター業界は、いくつかの産業用途にわたって経済的影響を維持するという課題に直面しています。新型コロナウイルス感染症による市場への短期的な影響では、いくつかの産業部門が影響を受けています。主要国間の緊張により、国際製造業は2019年にすでに低迷していた。新型コロナウイルスによる経済混乱とサプライチェーン活動の阻害により、市場はさらに縮小すると予測されています。

しかし、自動車分野や産業分野でより多くの Sic ベースの半導体、デバイス、製品に対する需要が増大し、発展途上国と先進国の GDP 成長が加速するため、SiC 市場プレーヤーは将来的に急成長すると予想されています。また、自動車、産業、家電、その他多くの業界における世界の貿易額と投資により、予測期間中に市場が拡大すると予想されます。

さらに、性能と寿命の向上を実現する自動化デバイスのニーズが高まり、SiC コンポーネントとそのアプリケーションの需要が世界中で急増しました。したがって、この市場は今後数年間で指数関数的な市場の成長を主導し、予測期間中に世界のSiC市場を押し上げると予想されます。

最新トレンド

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SiC ベースのパワー エレクトロニクスとインバーター市場の成長を促進するため、コネクテッド テクノロジーの拡大が加速

モノのインターネット (IoT) や無線通信などの接続テクノロジーは、SiC ベースのパワー エレクトロニクスやインバーターの最も重要なアプリケーションとしてランク付けされています。これらのテクノロジーは、このような高度な製品を備えた単一のデバイスまたはシステムに統合されています。これらのテクノロジーの融合により、そのようなデバイスを製造する企業の機会が拡大し、収益増加を生み出す新しいエコシステムが構築されます。

同様に、人工知能 (AI) を製品に組み込むことにより、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、BJT (バイポーラ接合トランジスタ) などのエンドユース アプリケーションからの需要も増加しています。これらは最も主流のアプリケーションであるためです。

さらに、オートメーション、セキュリティ、輸送、エネルギー管理などのための接続を含め、産業運営および家庭用電化製品製造業界における SiC ベースの製品のアプリケーションが増加しています。したがって、これらのアプリケーションは、市場に広範な市場機会を生み出すことが期待されています。

推進要因

世界的な成長を拡大するための普遍的な規制と基準

SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーター製品は、先進技術の継続的な出現に伴い、需要が大幅に増加すると予想されています。この成長は、規制および標準管理当局の開発と運用において始まった重要な変化によって促進されると予想されます。

メーカーは大量注文に移行すると予想されるため、新しい規格とコンプライアンスは SiC ベースのモジュールに対する新しい市場と需要を開拓します。これは、コンポーネントの製造に多額の投資を行っている新興テクノロジーのメーカーを支援することになります。正式な基準により、これらの企業の成長は今後数年間でさらに拡大すると予想されます。

抑制要因

市場の成長を抑制する SiC デバイスに伴う高額なメンテナンスと製造コスト

SiC ベースのパワー エレクトロニクスとインバーターの設計、製造、応用は、複数のアプリケーションが関与するため複雑です。また、カスタマイズのレベルによっては、全体的なインストールとプログラミングの手順がメーカーにとって困難になることがよくあります。これは、SiC ベースの製品の採用を妨げる主な要因の 1 つです。

さらに、SiC ベースのインバータ デバイスのもう 1 つの欠点は、設置およびメンテナンス サービスの認定技術パートナーを見つけることです。多くの企業は、設置の際、物流と製造に関連するコストを作成、プログラム、計画するために中立的な外部委託会社にお金を払う必要があります。これにより、設置手順が長くなり、SiC ベースの製品の隠れた出費が増加します。これらが市場の成長を妨げている主な要因です。

セグメンテーション

タイプ別分析

パワー エレクトロニクス部門が業界アプリケーションでの高い採用を背景に圧倒的なシェアを維持

種類ごとに、市場はパワー エレクトロニクスとインバーターに分類されます。

パワー エレクトロニクスの需要は、予測期間中に大幅に増加すると予想されます。パワーエレクトロニクスは、エネルギー損失を削減する能力により、炭化ケイ素業界を支配しています。 SiC は、パワー エレクトロニクスの寿命と効率を向上させます。さらに、パワー モジュール、充電時間、パフォーマンス、電気自動車 (EV) の航続距離の延長など、デバイスの性能の向上により、SiC ベースの製品の採用が増加しています。

さらに、SiC ベースのインバーターの市場需要は、予測期間中にパワー エレクトロニクスと比較して緩やかに成長すると予想されます。この成長の原因は、電気性能の向上、コンパクトなサイズ、電力管理など、高い信頼性をもたらす数多くのメリットをもたらすインバーターの採用の増加によるものです。

最終用途産業分析による

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自動車部門、車載用パワー半導体からの高い需要を背景に最高の CAGR を達成

SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーター市場は、最終用途産業ごとに、自動車、家庭用電化製品、IT および通信、航空宇宙および防衛などに分類されます。

自動車サブセグメントは、さまざまな自動車メーカーの EV の増加により、CAGR 39.8% という堅調な成長を示すと推定されています。 SiC 半導体デバイスは、業界の電気機械コンピューティング システム、産業用および商用モーター ドライブ、高温センサーに取り付けることができます。

さらに、この市場は、製品が半導体に電力を供給するために使用される家電業界によっても牽引されています。また、世界中で IT および電気通信における SiC ソリューションの利用が拡大しており、SiC ディスクリート デバイスは他のパワー半導体に比べて驚異的な速度と並外れた靭性を備えているため、SiC ディスクリート デバイスの需要が刺激されることが予想されます。

地域に関する洞察

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アジア太平洋地域は、インド、中国、日本などの国の堅調な経済成長により、最大の市場シェアを保持すると予測されています。それに伴い、ASEAN 製造業の力強い経済成長が地域市場の発展を促進すると予想されます。この地域では、自動車や家庭用電化製品などの分野からの SiC および GAN​​ (窒化ガリウム) ソリューションの需要がさらに大幅に増加しています。さらに、製造業への投資を増やすための政府機関による有利な規制枠組みと規制は、市場の成長に大きな影響を与えると予想されます。その結果、SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーター市場は、この地域全体で大きな推進力を得ることが予想されます。

中国や日本などの国では、この地域に複数のメーカーが存在するため、需要が急増しています。これらのメーカーは、インド、マレーシアなどの新興経済国や、中東・アフリカ諸国、南米などの他の経済圏からの需要に応えるマーケティング戦略に重点を置いて、さまざまな製品を提供しています。西側諸国と比較して発展が進む中、大手企業はこれらの発展途上市場を中心にビジネスチャンスを拡大しています。

北米は、SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーターの有力な市場になると予想されており、今後数年間で着実な成長を示すことが予想されます。地元企業による自動車分野への多額の投資により、一般的な市場動向に基づいたさまざまなオプションやカテゴリを備えた SiC ベースの製品の需要が創出されることが予想されます。これにより、この地域の市場の成長が促進されると予想されます。

ヨーロッパの市場は、予測期間中に大幅な成長を遂げ、強力な地位を維持すると予想されます。これは、この地域における技術の進歩と研究開発活動への注目の高まりによるものです。さらに、この地域に大手自動車メーカーが存在することは、市場の成長にとって良い前兆となるでしょう。

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中東とアフリカは、南米とともに、他の地域と比べて緩やかな成長を示すと予想されています。これは、SiC ベースの製品の需要が北米およびヨーロッパからアジア太平洋地域にシフトしているためです。これは、高度なコンピューティング、自動運転車、電気自動車などの革新的なアプリケーションを支援する需要によるものです。したがって、これらの SiC ベースの製品による技術の進歩により、電力、エネルギーの無駄を削減し、電力の無駄を削減し、電力の無駄を削減したこれらのアプリケーション向けのソリューションが提供されることが期待されています。人生。これにより、これらの両方の地域で市場の成長が維持されます。

主要な業界関係者

製品ポートフォリオを拡大するために高度な SiC ベースのテクノロジーの開発に注力する主要企業

SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーター市場は、パワー エレクトロニクス ソリューション ドメインの他の市場と比較して比較的新しい市場であるため、適度に細分化されています。市場は技術の進歩とともに成長しており、市場には多くの有名ブランドがあり、一部の地域企業も増加する需要に応えています。

STMicroelectronics、Cree, Inc.、ON Semiconductor、ローム株式会社、Infineon Technologies AG、NXP Semiconductor N.V.、ABB Group、ルネサス エレクトロニクス株式会社、富士電機株式会社、三菱電機株式会社が検討されています。世界市場の著名なプレーヤー。市場の 83% ～ 88% をカバーしています。これらの著名な企業は、研究開発に投資して製品の専門知識を強化することに取り組んでいます。彼らはトップであり続けるために、ブランド名を重視し、強力な顧客ベースを構築し、最新のテクノロジーを導入しています。これらの企業は、ロボット工学、オートメーションなどの他の産業用途向けの SiC ベースのソリューションの開発にも注力しています。さらに、これらの企業は、マーケティングやオートメーションなどの強力なビジネス戦略を採用することで、予測期間中に事業を拡大する大きな機会を持つことが予想されます。広告、合併と買収など

プロファイルされた主要企業のリスト:

• STMicroelectronics (スイス)


• Cree, Inc. (米国)


• オン セミコンダクター (米国)


• ローム株式会社(日本)


• インフィニオン テクノロジーズ AG (ドイツ)


• NXP Semiconductor N.V. (オランダ)


• ABB グループ (スイス)


• ルネサス エレクトロニクス株式会社 (日本)


• 富士電機株式会社 (日本)


• 三菱電機株式会社 (日本)

主要な業界の発展:

• 2021 年 7 月、ST マイクロエレクトロニクスとルノー グループは、電池式およびハイブリッド車のパワー エレクトロニクス向けの製品および関連パッケージング ソリューションの設計、製造、開発、供給に関する提携を発表しました。システム。


• 2021 年 5 月の PCIM 展示会で、インフィニオン テクノロジーズは、CoolSiC MOSFET テクノロジーをベースにしたまったく新しい車載用パワー モジュールを発表しました。これは、EV（電気自動車）のトラクション インバータ用に強化された、V（電圧）をブロックする 1,200 V の容量を持つ 6 パックのフルブリッジ セクションを備えています。


• 2021 年 1 月、半導体メーカーのロームは、SiC ベースのパワーデバイスの生産能力を強化するために、筑後工場に新棟を完成したと発表しました


• 2020 年 11 月に、GT Advanced Technologies (GTAT) と Infineon Technologies AG は、SiC ブールに関して合意に達しました。この契約により、同社はドイツ全土でのベースマテリアルの成長要件を確保しました。契約期間は5年間となります。同社の産業用電力制御部門は、産業用途における SiC ベースのスイッチの需要に応えています。

レポートの対象範囲

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SiC ベースのパワー エレクトロニクスおよびインバーター市場レポートでは、種類と最終用途産業の詳細な分析が提供されます。主要企業とその事業概要、製品の種類、主な用途などの情報を提供します。さらに、競争環境、SWOT 分析、現在の市場傾向についての洞察を提供し、主要な推進要因と制約を強調します。上記の要因に加えて、レポートには、近年の市場の成長に貢献したいくつかの要因が含まれています。

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