パワートランジスタ市場規模、シェア、新型コロナウイルス感染症の影響分析、タイプ別（バイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ、その他）、技術別（低電圧FET、RFおよびマイクロ波電力、高電圧FET、および IGBT トランジスタ）、業界別（家電、IT および電気通信、自動車、製造、その他）および地域別の予測、2023 ～ 2030 年

世界のパワートランジスタ市場規模は、2022 年に 135 億 6000 万米ドルと評価され、2023 年の 137 億 6000 万米ドルから 2030 年までに 268 億 3000 万米ドルに成長すると予測されており、予測期間中に 10.0% の CAGR を示します。

パワー トランジスタは、コレクタ、ベース、エミッタを含む 3 端子の半導体デバイスであり、電源供給装置および電力増幅器で電気信号を増幅および切り替えます。大量の電流や電圧を使用する機器に適しています。パワートランジスタは、他の小さなトランジスタよりも多くの電力と負荷を処理できます。パワー トランジスタには、正 - 負 - 正 (PNP) または負 - 正 - 負 (NPN) 極性があります。これらのソリューションは、さまざまなスイッチング速度と電力特性で利用できます。これらのトランジスタは、電子デバイスのスイッチングと電力効率を向上させる能力があるため、ここ数十年で世界中でますます普及してきました。たとえば、2022年10月にセミコンダクター・ダイジェストが発行したレポートによると、製品出荷量の増加により、パワー・トランジスタの平均販売価格は2022年に11%上昇し、市場シェアにプラスの影響を与えています。さらに、世界中でモデム、ルーター、アンプ、スマートフォン、ウェアラブルなどの接続デバイスの使用が増加しており、世界的にパワー トランジスタ市場の成長が推進されています。

新型コロナウイルス感染症（COVID-19）の影響

ウイルスの検出に役立つトランジスタの需要が増加

2020 年の新型コロナウイルス感染症 (COVID-19) のパンデミックの急激な拡大は、業界と消費者の通常のライフスタイルに大きな影響を与えました。新型コロナウイルス感染症（COVID-19）ウイルスの蔓延を防止し制限するために、各国政府当局は世界的にロックダウンと移動制限を課しています。この要因により、半導体およびエレクトロニクス製造部門の閉鎖が発生しました。生産部門の突然の閉鎖により、エレクトロニクスおよび半導体材料のサプライチェーンが混乱し、トランジスタ、ダイオード、三極管の需要がわずかに減少しました。

しかし、新型コロナウイルス感染症 (COVID-19) の影響により、顧客の行動とビジネスの視点は大きく変わりました。したがって、政府当局と主要な市場関係者は、新型コロナウイルス感染症危機を制御するための戦略を準備していました。たとえば、2021 年 12 月、インド政府は半導体産業の発展に 100 億米ドルを割り当てました。さらに、電界効果トランジスタ（FET）は、新型コロナウイルスのタンパク質スパイクの検出プロセスの主要コンポーネントであり、世界市場でトランジスタの需要が増加しています。

最新トレンド

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接続デバイスにおけるトランジスタの使用増加が市場の成長を促進

過去 20 年間にわたり、さまざまなビジネスの通常の運営における自動化の重要性がますます高まってきました。また、モノのインターネットや産業オートメーションなどの新興テクノロジーの導入により、エンドユーザーは日常の活動に接続されたデバイスを導入するようになっています。たとえば、2022 年 11 月に「Automation Anyware」が発行したレポートによると、世界中の組織の 83% が、組織内にモノのインターネットと接続されたデバイスを導入することで生産性が向上しました。パワー トランジスタは、デバイスの接続に役立ち、熱を放散し、過熱を防ぎます。また、これらのトランジスタは二酸化炭素の排出量を削減し、接続されたデバイスで使用されるエネルギーコストを削減します。これらのいくつかの利点により、トランジスタの需要は推定期間中に増加します。

推進要因

電子・半導体業界における環境への懸念の高まりが市場の成長を促進

エレクトロニクスおよび半導体業界における先端技術の利用は継続的に増加しています。技術の進歩に伴い、汚染や電子廃棄物などの環境への懸念も高まっています。この問題を制御するために、ほとんどのエンドユーザーは、最終製品にトランジスタ、ダイオード、三極管などの環境に優しい電子部品や半導体部品を使用することを好みます。金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) や電界効果トランジスタ (FET) などのトランジスタの使用が増加しており、汚染問題の解決に貢献しています。これらのトランジスタは、過熱を軽減し、熱を適切に放散することで、電子デバイスの効率を高めるのに役立ちます。また、多くの国では依然として発電に化石燃料が使用されており、汚染を直接的に増大させています。 MOSFET と FET は、電子デバイスの消費電力を削減し、劣化を防ぎます。

抑制要因

トランジスタの高コストと耐久性の低さが市場の成長を妨げている

パワー トランジスタの直接コストは、他のダイオード、三極管、トランジスタよりもはるかに高くなります。トランジスタのコストが高くなると、最終的には、これらのトランジスタが使用される産業機械、家庭用電化製品、医療機器などの最終製品のコストが増加します。この最終製品コストの上昇は、予測期間中の市場の成長を妨げる可能性があります。さらに、このトランジスタの大きな問題または技術的問題は、スイッチング周波数の問題です。このタイプのトランジスタは、15KHz の周波数を超えると適切に動作できません。これらのトランジスタを 15KHz の周波数を超えると、故障または故障します。また、このトランジスタは逆阻止能力が浅く、熱暴走により容易に損傷する可能性があります。上記の要因が市場の成長を抑制する原因となっています。

セグメンテーション

タイプ別分析

バイポーラ接合トランジスタ部門、高い出力電流生成能力により増収を記録

種類に基づいて、市場はバイポーラ接合トランジスタ、電界効果トランジスタ、ヘテロ接合バイポーラ トランジスタなどに分類されます。

バイポーラ接合トランジスタ部門は、少量の入力電流から大量の出力電流を生成するバイポーラ接合トランジスタの能力により、2022 年に顕著な収益を上げました。また、スイッチや信号をより良く増幅するために広く使用されています。電界効果トランジスタは、家庭用電化製品の熱の欺瞞を改善する能力があるため、間もなく同じ傾向をたどります。ただし、その他のセグメントは、市場の成長を牽引するエレクトロニクスおよび半導体業界の継続的な技術進歩により、予測期間で最も高い CAGR を生み出すことが予想されます。

テクノロジー分析による

低電圧 FET はその低価格により、2022 年に顕著な収益を記録する

市場はテクノロジーに基づいて、低電圧 FET、RF およびマイクロ波電力、高電圧 FET、IGBT トランジスタに分類されます。

低電圧電界効果トランジスタは、低電圧電界効果トランジスタの小売価格の低下により、2022 年に最高の収益を生み出しました。ただし、低電圧電界効果トランジスタの予測期間における CAGR は高くなります。さらに、航空宇宙および防衛産業における高周波およびマイクロ波機器の使用の増加により、RF およびマイクロ波電力セグメントも同様の傾向をたどっており、市場で 2 番目に大きな収益を生み出しています。繰り返しますが、絶縁ゲート バイポーラ トランジスタと高電圧電界効果トランジスタは、予測期間中に緩やかな成長を遂げています。

業界別の垂直分析

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製造部門はトランジスタの多用により 2022 年に最高収益を達成

業界に基づいて、市場は家庭用電化製品、IT と通信、自動車、製造などに分類されます。

2022 年に市場で最も高い収益を上げたのは製造部門です。これは、効率向上のために製造機械にトランジスタが多用されたためです。さらに、自動車部門も同じ傾向をたどっており、世界で 2 番目に大きな成長を示しています。市場。さらに、家庭用電化製品分野では、過去 20 年間でトランジスタの使用が急速に増加しており、これが市場を世界的に推進する役割を果たしています。ただし、通信およびネットワーキング デバイスの複雑なスイッチング回路におけるパワー トランジスタの使用が増加しているため、IT および電気通信セグメントは予測期間中に最も高い CAGR を示しています。

地域に関する洞察

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アジア太平洋地域は世界市場でより高い収益を上げています。世界の市場において支配的な地域として成長しています。それは、韓国、中国、日本、台湾、シンガポールなどの先進国で、最新の半導体および電子ユニットと高度な研究開発センターが利用できるためです。また、マレーシア、インド、オーストラリア、ベトナムなどの国々も、この地域の市場発展を担う半導体・エレクトロニクス製造部門の成長に注力している。

中国はエレクトロニクス産業の大きな存在感により大きな市場シェアを獲得

中国は世界の市場で重要な地位を占めています。それは、世界中のトランジスタ製造ユニットの存在の進歩と近代化によるものです。また、中国政府は国内のトランジスタの研究と新製品開発に注力しており、市場の成長を後押しすると予想されている。さらに、中国は世界市場における半導体とエレクトロニクスの重要な供給者であり、市場の成長にも貢献しています。

アジア太平洋地域は顕著な収益を生み出しています。それは、この地域で最も先進的かつ近代的なトランジスタ生産ユニットの存在によるものです。さらに、台湾、中国、日本、韓国、シンガポールなどの先進国が、市場の中小規模産業向けのさまざまなトランジスタの主な供給国であり、市場の成長を担っています。

米国は 2022 年に北米地域でより多くの収益を生み出すでしょう。これは、この地域で主要企業が利用できるためです。さらに、米国政府はここ数年、半導体産業への支出を増やしている。たとえば、ブルームバーグのレポートによると、2022 年 3 月には、アメリカ競争法により、半導体業界の製品促進に 520 億ドルが注ぎ込まれています。ただし、カナダは予測期間内で最も高い CAGR を生み出すと予想されています。これは、カナダ政府の IT および電気通信への投資の増加と、製造業による国内のトランジスタの需要の増加によるものです。さらに、メキシコはさまざまな戦略を講じて市場への展開を強化しています。

ドイツが生み出した先進的な製造施設のおかげで、ヨーロッパ市場では重要な地位を占めています。また、ドイツには電気自動車の製造部門が進んでおり、この地域のトランジスタの需要が増加しています。ただし、英国は予測期間中に CAGR で成長すると予想されます。イタリアとフランスもそれぞれ市場で同じ傾向をたどっています。ただし、スペインやその他のヨーロッパ諸国では​​、緩やかかつ緩やかな市場成長が見られます。

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中東、アフリカ、南米では先進技術の導入が少ないため、中東およびアフリカ地域の成長は緩やかです。しかし、アラブ首長国連邦、サウジアラビア、アルゼンチンなどの国々は半導体製造に注力しており、市場は大きく成長しています。

主要な業界関係者

三菱電機株式会社、半導体製造設備の進歩により市場で主要なシェアを握る

三菱電機株式会社は、先進的な半導体研究および製造ユニットを利用できるため、卓越した市場シェアを保持しています。また、この会社は市場におけるさまざまな半導体および電子デバイスの主要サプライヤーです。さらに、Diodes Incorporated、Texas Instruments Incorporated、Microchip Technology Inc.、Infineon Technologies AG、NXP Semiconductors、Vishay Intertechnology, Inc.、Linear Integrated Systems、ルネサス エレクトロニクス株式会社、ローム株式会社、ST マイクロエレクトロニクスなどのさまざまな企業が採用しています。市場における大規模な競争に対抗するためのパートナーシップ、コラボレーション、買収、製品の発売などの市場およびビジネスの成長戦略。また、これらの組織は、顧客の要件に応じた多様な製品開発に役立つ、さまざまな国での事業部門の拡大に重点を置いています。さらに、EV 充電製品の継続的な成長が市場の発展に貢献します。

紹介されている主要企業のリスト:

• ダイオード社。 (米国)


• テキサス・インスツルメンツ社（米国）


• マイクロチップ テクノロジー社 (米国)


• インフィニオン テクノロジーズ AG (ドイツ)


• 三菱電機株式会社（日本）


• NXP Semiconductors (オランダ)


• Vishay Intertechnology, Inc. (米国)


• ルネサス エレクトロニクス株式会社 (日本)


• ローム株式会社(日本)


• ST マイクロエレクトロニクス (スイス)

主要な業界の発展:

• 2022 年 3 月 _半導体およびエレクトロニクス ソリューション プロバイダーである NXP Semiconductor は、新製品である 32T32R および 64T64R 用の RF パワー ディスクリート トランジスタを発売しました。このトランジスタは硝酸ガリウムで作られており、大規模な MIMO カバレッジを拡大することで都市および郊外のアンテナの効率を向上させるために使用されます。


• 2022 年 3 月 _ 硝酸ガリウムベースの製品を提供する Transphorm Inc. は、TDK グループ会社である TDK lambda と提携しました。このパートナーシップを通じて、両組織は AC-DC 硝酸ガリウム電源モジュールを拡張しました。硝酸ガリウムは、シリコンベースのソリューションよりも 38% 高い効率を実現します。


• 2022 年 7 月 _要素半導体のメーカーである Nexperia は、新しいパワーバイポーラ接合トランジスタを発売しました。このトランジスタは、45V ～ 100V の電圧範囲と 2A ～ 8A の電流範囲に耐えられるよう、電気的および熱的に高度な DPAK パッケージに設計されています。このトランジスタは、自動車用途の効率を向上させるために特別に作られています。


• 2021 年 12 月 _IBM Corporation と Samsung Electronics Corporation は、新しい縦型トランジスタの設計と開発で提携しました。この新しいトランジスタは、既存のフィン電界効果トランジスタ (finFET) と比較して、エネルギー消費を 85% 削減できます。


• 2021 年 7 月_ST マイクロエレクトロニクスは、半導体業界の主要な主要企業です。同社は新しいトランジスタ製品群を発売した。この新しいトランジスタ シリーズは、LDMOS RF トランジスタのファミリーに属します。新しく発売された LDMOS RF トランジスタは、8W ～ 300W の出力範囲で動作するように開発されており、航空宇宙、レーダー、衛星アプリケーションで頻繁に使用されています。

レポートの対象範囲

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レポートは世界市場の詳細な分析を提供し、主要企業、アプリケーション、最新技術、トランジスタ市場の最近の発展などの重要な側面に焦点を当てています。これに加えて、レポートは市場動向に関する洞察を提供し、主要な業界の発展に焦点を当てています。上記の要因に加えて、レポートには、近年の市場の成長に寄与するいくつかの要因が含まれています。

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