磁気抵抗メモリ (MRAM) 市場規模、シェアおよび業界分析、製品タイプ別 (スピントランスファー トルク MRAM (STT-MRAM)、トグル MRAM)、アプリケーション別 (家電製品、自動車、ロボティクス、航空宇宙および防衛、エンタープライズ ストレージ、その他) および地域予測 2023-2030

磁気抵抗性 RAM (MRAM) は、電子スピンを使用して情報を保存するメモリ技術です。さまざまな企業や研究者が次世代 MRAM 技術の開発に投資しており、これにより近い将来市場の成長が促進されると考えられます。磁気抵抗 RAM は高温環境下でも動作でき、耐タンパー性を備えています。したがって、製造、航空宇宙、防衛、自動車、軍事などの業界に非常に適しており、需要が急増する可能性があります。

MRAM は電力効率の高いメモリ テクノロジであり、SRAM (スタティック ランダム アクセス メモリ)、DRAM (ダイナミック ランダム アクセス メモリ)、フラッシュ メモリなどを置き換える可能性があります。より高速で、消費電力が少なく、データを保持できます。従来の技術よりも高速な書き込みおよび読み取り機能により、磁気抵抗 RAM 市場の成長を促進する可能性があります。家庭用電子機器、ウェアラブルデバイス、スマートデバイスなどにおけるスタンドアロンおよび組み込みメモリの需要の増加が市場を牽引すると予想されます。同様に、モノのインターネット、人工デバイス、仮想現実や拡張現実に対する需要の高まりにより、MRAM の需要も高まる可能性があります。

Key Market Driver -

� Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth � Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

Key Market Restraint -

� High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

対象となる主要なプレーヤー:

世界的な磁気抵抗 RAM (MRAM) の主要企業には、Everspin Technologies, Inc.、Intel Corporation、IBM Corporation、NVE Corporation、Qualcomm, Inc.、Samsung Electronics Co. Ltd.、株式会社東芝などがあります。 、Spin Transfer Technologies、Crocus Nano Electronics LLC、Avalanche Technology, Inc.、Honeywell International などがあります。これらの企業は、その広大な用途に向けた研究開発に重点を置いています。また、ビジネスプレゼンスと市場シェアを拡大​​するために、両社は戦略的パートナーシップと協力関係を締結しています。主要企業は、革新的な製品を提供し、新しい組み込みメモリ技術を開発することも目指しています。

地域分析

北米は、予測期間中に支配的な市場シェアを獲得すると予想されます。この地域における有力企業の存在が成長を後押ししています。また、インメモリ技術の研究開発に対する大きな関心と投資が、この地域の MRAM 需要を押し上げています。同様に、ヨーロッパも、主要な自動車産業の存在により、大幅な成長を遂げると予想されています。耐温度性と効率性に優れたメモリ技術は、この国の自動車産業で注目を集めています。これは市場の成長を促進する可能性があります。

アジア太平洋地域は、ウェアラブル デバイスに対する製造とユーザーの需要の増加により、予測期間中に急速な成長を遂げる可能性があります。この地域では、主要な家庭用電化製品、スマート デバイス、その他の業界が MRAM テクノロジーを着実に採用し、高速かつ大容量のメモリを提供しています。この地域には、MRAM 需要の促進が期待されるさまざまなメモリ製造会社が含まれています。さらに、インターネットの普及、クラウド展開、5Gインフラストラクチャなどの成長により、磁気抵抗RAM市場の成長が促進されると予想されます。同様に、MRAM の機能と用途を考慮すると、中東、アフリカ、南米全体での需要は着実に成長すると予想されます。

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セグメンテーション

主要な業界の発展

• 2019 年 2 月 – インテル コーポレーションは、MRAM の生産が可能になったと発表しました。同社は、MRAM スピントランスファートルク (STT) をデバイスに組み込む方法の詳細を共有しました。同社は、STT-MRAM の開発に 2 段階の電流センシング技術と「書き込み-ベリファイ-書き込み」スキームを使用していると発表しました。


• 2020 年 3 月: Everspin Technologies, Inc. は、インテリジェント コンピューティング プロバイダーである Xilinx, Inc. と提携して、ザイリンクスの DDR4 FPGA コントローラーを使用した 1 Gb STT-MRAM の新しいデザイン ガイドをリリースしました。 2 社のソリューションを統合すると、運用頻度の削減、データ転送の効率化など、さまざまなメリットが得られます。