Tamanho do mercado de RAM magneto resistiva (MRAM), participação e análise da indústria, por tipo de produto (MRAM de torque de transferência de rotação (STT-MRAM), alternar MRAM), por aplicação (eletrônicos de consumo, automotivo, robótica, aeroespacial e defesa, armazenamento empresarial, Outros) E Previsão Regional, 2024-2032

RAM magneto resistiva (MRAM), uma tecnologia de memória que armazena informações usando o spin do elétron. Várias empresas e pesquisadores estão investindo no desenvolvimento da tecnologia MRAM de próxima geração, o que provavelmente impulsionará o crescimento do mercado em um futuro próximo. A RAM magneto-resistiva pode operar em um ambiente de alta temperatura e é resistente a violações. Assim, é altamente adequado para indústrias como manufatura, aeroespacial, defesa, automotiva, militar, entre outras, o que provavelmente aumentará a demanda.

MRAMs são a tecnologia de memória com eficiência energética e têm potencial para substituir SRAM (Static Random Access Memory), DRAM (Dynamic Random Access Memory), memória flash, entre outras. É mais rápido, consome menos energia e é capaz de reter dados. Sua funcionalidade de escrita e leitura rápida do que as tecnologias tradicionais provavelmente impulsionará o crescimento do mercado de RAM magneto-resistiva. Espera-se que a crescente demanda por memória autônoma e incorporada em dispositivos eletrônicos de consumo, dispositivos vestíveis, dispositivos inteligentes, entre outros, impulsione o mercado. Da mesma forma, a crescente procura pela Internet das coisas, dispositivos artificiais, realidade virtual e aumentada deverá aumentar a procura de MRAM.

Principal impulsionador do mercado -

• Growing demand for wearable devices is expected to boost the magneto resistive RAM (MRAM) market growth • Low power consumption capability of magneto resistive RAM is expected to drive the market growth

Restrição chave do mercado -

• High designing cost of devices is likely to hinder the market growth

Principais participantes cobertos:

Alguns dos principais participantes da RAM magneto resistiva global (MRAM) são Everspin Technologies, Inc., Inc., Intel Corporation, IBM Corporation, NVE Corporation, Qualcomm, Inc., Samsung Electronics Co. Technologies e Crocus Nano Electronics LLC, Avalanche Technology, Inc., Honeywell International, entre outras. Essas empresas estão concentrando pesquisa e desenvolvimento para suas vastas aplicações. Além disso, para expandir a presença empresarial e a quota de mercado, as empresas estão a celebrar parcerias e colaborações estratégicas. Os principais participantes também pretendem fornecer produtos inovadores e desenvolver novas tecnologias de memória incorporada.

Análise Regional

Espera-se que a América do Norte ganhe uma participação de mercado dominante durante o período de previsão. A presença de intervenientes dominantes na região está a impulsionar o crescimento. Além disso, o interesse e o investimento significativos em investigação e desenvolvimento de tecnologia in-memory estão a impulsionar a procura de MRAM na região. Da mesma forma, espera-se que a Europa obtenha um crescimento significativo devido à presença da indústria automóvel dominante. A tecnologia de memória eficiente e resistente à temperatura está ganhando força na indústria automotiva do país. É provável que isso impulsione o crescimento do mercado.

É provável que a Ásia-Pacífico obtenha um rápido crescimento durante o período de previsão devido à crescente fabricação e à demanda dos usuários por dispositivos vestíveis. As principais indústrias de eletrônicos de consumo, dispositivos inteligentes e outras indústrias estão adotando constantemente a tecnologia MRAM na região para oferecer memória rápida e de alta capacidade. A região contém várias empresas fabricantes de memória que deverão impulsionar a demanda por MRAM. Além disso, espera-se que a crescente penetração da Internet, a implantação da nuvem, a infraestrutura 5G, entre outros, impulsionem o crescimento do mercado de RAM magneto resistiva. Da mesma forma, considerando as capacidades e aplicações da MRAM, espera-se que a sua procura em todo o Médio Oriente, África e América do Sul cresça de forma constante.

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Segmentação

 Principais desenvolvimentos da indústria

• Fevereiro de 2019 –  A Intel Corporation anunciou a disponibilidade da produção de MRAM. A empresa compartilhou seus detalhes para incorporar o torque de transferência de spin (STT) MRAM em dispositivos. A empresa anunciou que está usando uma técnica de detecção de corrente de dois estágios e um esquema “gravar-verificar-escrever” para desenvolver o STT-MRAM.


• Março de 2020: Everspin Technologies, Inc. em parceria com o provedor de computação inteligente Xilinx, Inc. lançou um novo guia de design para STT-MRAM de 1 Gb com controlador DDR4 FPGA da Xilinx. A integração da solução de duas empresas oferece diversos benefícios como redução da frequência operacional, eficiência na transferência de dados, entre outros.