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3D Nand Flash 市场规模、份额和行业分析,按类型(单级单元 (SLC)、多层单元 (MLC)、三级单元 (TLC) 和四级单元 (QLC))划分应用程序(智能手机、平板电脑、笔记本电脑和 PC、固态硬盘 (SSD) 等)、按最终用户(消费电子产品、汽车、医疗保健、IT 和电信等)、按销售渠道(直销、分销商、和在线渠道),以及 2024-2032 年区域预测

地区 :Global | 报告编号: FBI110079 | Status : Ongoing

 

主要市场洞察

3D NAND 闪存是一种 type 的非易失性存储器,它以多层方式垂直堆叠存储单元,与传统平面 NAND 相比,增强了存储容量和性能。这种垂直架构可实现更高的存储密度、更快的读/写速度、更高的耐用性和更高的能源效率。因此,3D NAND 更具成本效益和可靠性,使其成为各种应用的理想选择,从智能手机和笔记本电脑等消费电子产品到企业存储解决方案和物联网设备。三星、美光、SK 海力士和英特尔等领先制造商处于 3D NAND 开发的最前沿,不断提升其能力,以满足对大容量存储解决方案不断增长的需求。例如,

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  • 2024 年 1 月,三星在美国建立了一个新的研究实验室,以开发下一代 3D DRAM。据消息人士透露,该实验室隶属于硅谷的 Device Solutions America (DSA),旨在打造先进的 DRAM,以巩固三星在全球 3D 存储芯片市场的领导地位。

COVID-19 大流行最初导致生产延误和供应链中断,从而扰乱了市场。然而,向远程工作、在线教育和数字消费增加的转变极大地推动了对数据存储解决方案的需求。 5G 技术和物联网设备的加速采用进一步推动了需求的激增。

细分

作者:type

按应用

按最终用户

按 销售渠道

按地区

  • 单级单元 (SLC)
  • 多级单元 (MLC)
  • 三级单元 (TLC)
  • 四级单元 (QLC)
  • 智能手机
  • 平板电脑
  • 笔记本电脑和个人电脑
  • 固态硬盘 (SSD)
  • 其他(USDB 驱动器、存储卡)
  • 消费电子产品
  • 汽车
  • 医疗保健
  • IT 和电信
  • 其他(航空航天和国防)
  • 直接销售
  • 经销商
  • 在线渠道
  • 北美(美国、加拿大和墨西哥)
  • 南美洲(巴西、阿根廷和南美洲其他地区)
  • 欧洲(英国、德国、法国、意大利、西班牙、俄罗斯、比荷卢经济联盟、北欧和欧洲其他地区)
  • 中东和非洲(土耳其、以色列、海湾合作委员会、北非、南非以及中东和非洲其他地区)
  • 亚太地区(中国、印度、日本、韩国、东盟、大洋洲和亚太地区其他地区)

主要见解

该报告涵盖以下主要见解:

  • 微观宏观经济指标
  • 驱动因素、限制因素、趋势和机遇
  • 主要参与者采取的业务策略
  • 主要参与者的综合 SWOT 分析

最终用户分析

消费电子行业占据着最高的市场份额,因为智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备对存储解决方案的需求很高,这些设备需要大存储容量和快速性能。消费电子领域越来越多地采用4K和8K视频录制、增强现实和虚拟现实等先进技术,进一步推动了对3D NAND闪存的需求。

由于先进的信息娱乐系统、自动驾驶技术和车辆连接功能的日益集成,汽车行业预计将以最高的复合年增长率增长。这些应用对大容量、可靠存储解决方案的需求正在推动 3D NAND 闪存的采用,从而带动汽车行业的大幅增长。

区域分析

获得对市场的广泛洞察, 定制请求

全球 3D nand 闪存市场研究涵盖五个地区:北美、南美、欧洲、中东和非洲以及亚太地区。

由于主要半导体制造商的存在、对消费电子产品的高需求以及中国、韩国和日本等国家对技术基础设施的大量投资,亚太地区占据了最高的市场份额。此外,先进技术的日益采用、主要市场参与者的存在以及对基础设施和研发活动的大量投资推动了行业的增长。例如,

  • 2023 年 12 月,SK 海力士分享了通过招募英特尔专家来加强高性能 NAND 研发的计划。 

全球3D Nand Flash市场按地区分布:

  • 北美 – 25%
  • 南美洲 – 7%
  • 欧洲 – 24%
  • 中东和非洲 – 12%
  • 亚太地区 – 32%

由于大型科技公司的存在、对先进消费电子产品的高需求以及该地区数据中心和 IT 基础设施的大量投资,北美在全球市场中占有第二高的份额。对创新的高度重视和新技术的早期采用也有助于该地区获得可观的市场份额。

涵盖的关键参与者

该市场的主要参与者包括三星电子、SK海力士、美光科技、英特尔公司、铠侠公司、西部数据、长江存储、闪迪、富士通、希捷科技、威刚科技、慧荣科技、群联电子等。 HGST。

主要行业发展

  • 2024 年 5 月,SK Hynix 分享了探索 3D NAND 超低温制造的计划,可能实现超过 400 层。该公司向东京电子 (TEL) 发送了测试晶圆,以评估其新型低温蚀刻工具,该工具的运行温度为 -70°C,与当前设备的运行温度为 0-30°C。
  • 2023 年 6 月,在首尔举行的 IWM 2024 会议上,Kioxia 提出了 1,000 层 3D NAND 路线图,预测 100 Gbit/mm² 芯片密度到 2027 年。合作伙伴西部数据 (Western Digital) 对制造成本上升和投资回报率下降表示担忧。
  • 2023 年 3 月,西部数据 和 Kioxia Corporation 宣布推出最新的 3D 闪存技术。它采用先进的缩放和晶圆键合技术,以具有竞争力的成本提供卓越的性能、容量和可靠性,解决各个细分市场指数级数据增长的问题。
  • 进行中
  • 2023
  • 2019-2022

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