化合物半导体市场规模、份额和行业分析，按类型（GaN（AIGaN、INGaN）、SiC、GaAs、InP 等）、按产品（LED、光电子、电力电子和射频器件）、按行业（消费电子产品） 、电信、能源和电力、汽车、航空航天和国防等）以及区域预测，2024 年 � 2032 年

2023年全球化合物半导体市场规模为373.5亿美元。预计该市场将从2024年的396.8亿美元增长到2032年的728.9亿美元，预测期内复合年增长率为7.9%。

化合物半导体由元素周期表中相同或不同族的两种或多种元素组成。它们采用多种沉积方法生产，包括化学气相沉积、原子层沉积等。这些半导体表现出独特的特性，例如耐高温和耐热性、改进的频率响应、对磁性的高灵敏度以及更快的操作和光电能力。

预计 5G 网络的不断发展以及消费电子产品对 LED 的需求不断增长将推动市场增长。然而，化合物材料的成本和标准平均低于基础半导体，这可能会限制其需求。但由于需要更轻松地操作射频设备，预计国防部门对这些半导体的需求将会增长。这可能会带来投资组合扩张和投资的机会。此外，高速和高频通信系统的快速采用正在增加市场份额。

COVID-19 大流行对化合物半导体的需求产生了重大影响，影响了供应链、需求模式和行业动态的各个方面。一些半导体制造商在获取必要的原材料、零件和机械方面遇到了困难，导致生产延误和运营费用增加。然而，该行业的适应和创新能力，加上持续的技术进步和新兴应用，使其能够在大流行后时代实现复苏和增长。

生成人工智能的影响

化合物半导体生成式人工智能的先进设计能力推动市场增长

生成式人工智能可能会对市场增长产生重大影响，因为这项技术提供了提升设计能力、增强性能、提高可靠性并刺激能源效率和可持续性创新的机会。 Gen AI 可以加速 disc 具有所需特性的新材料的覆盖，有可能导致 GaN、SiC、InP 和其他 type 和技术的进步。它可以模拟和预测各种条件下的材料行为，帮助优化其性能。

此外，人工智能算法可以优化基于这些材料的设备设计。例如，生成式人工智能可以使用各种type化合物半导体设计更高效的电力电子器件，或者通过优化光子器件的结构和材料成分来提高光子器件的性能。

化合物半导体市场趋势

LiDAR 技术的快速采用将成为主要趋势

LiDAR 技术利用激光光源高精度测量距离，在自动驾驶汽车、工业自动化和环境监测等高分辨率应用中变得越来越重要。 LiDAR 系统中使用的高效高性能激光二极管的关键组件包括氮化镓 (GaN) 和磷化铟 (InP) 等化合物半导体。

随着激光雷达系统在各个行业的应用，对具有更大功率输出、能够在更高温度下工作以及更高可靠性的先进半导体材料的需求不断增长。这些半导体具有这些特性，因此在下一代激光雷达系统中得到越来越多的采用。

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化合物半导体市场增长因素

GaN 在 5G 基础设施开发中的前瞻性应用，以促进市场增长

5G 无线基站的效率、性能和价值很大程度上取决于 GaN 解决方案。与 5G 基站的扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) 相比，碳化硅基氮化镓在效率和性能方面有了显着提高。此外，碳化硅基氮化镓还具有诸多优势，例如改进的导热性、增强的鲁棒性和可靠性、提高更高频率下的效率以及在更小的 MIMO 阵列中实现可比的性能。

下一代 5G 网络的部署预计将受到网络中所有传输单元（包括微微、微型、宏和家庭路由器）功率放大器中 GaN 技术的结合的显着影响。

限制因素

化合物半导体开发缺乏标准化，阻碍市场扩张

标准化制造工艺的实施可以通过确保不同组件兼容并降低材料无用的风险来优化化合物半导体供应链。如果没有标准化，制造商可能必须管理众多供应链或花费大量费用来定制产品以满足特定要求。此外，缺乏标准化的制造流程可能会导致生产不一致，这也阻碍了制造商进入市场。这些由于缺乏标准化而产生的因素成为化合物半导体市场增长的障碍。

化合物半导体市场细分分析

根据 type 分析

GaN 的增强功能促进了其采用

根据type，市场分为 GaN（AIGaN、INGaN）、SiC、GaAs、InP 等。

就份额而言，GaN 细分市场将在 2023 年占据市场主导地位。该细分市场的增长得益于该半导体在电力电子、射频/微波应用和 LED 照明领域的卓越性能特征。此外，制造效率和成本效益的不断进步也将促进 GaN 的使用。随着这些趋势的持续发展，GaN 预计将在塑造多个行业半导体技术的未来方面发挥越来越重要的作用。

预计 InP 细分市场在预测期内复合年增长率最高。 InP 在光电器件中具有很高的价值，例如光电探测器、激光器和光子集成电路 (PIC)。基于 InP 的光电探测器具有高灵敏度和低噪声性能，这对于光通信系统至关重要。这种type 半导体也正在探索新兴技术，例如量子计算，它通过其光电特性操纵单个光子的能力是有利的。

按产品分析

化合物半导体技术的进步促进了其在 LED 开发中的应用

根据产品，市场分为 LED、光电子、电力电子和射频器件。

就份额而言，LED 细分市场将在 2023 年占据市场主导地位。半导体技术的进步推动了 LED 的发展，提高了效率、亮度和颜色范围。 LED 正在取代卤素灯泡，商业和家庭环境对荧光灯和白炽灯的需求很高。由于 LED 与传统照明相比具有卓越的亮度，汽车行业广泛使用 LED，LED 照明的日益普及预计将对化合物半导体行业的扩张产生积极影响。 2021 年，国际能源署 (IEA) 报告称，全球约 50% 的建筑物使用 LED 进行照明。

电力电子领域预计在预测期内复合年增长率最高。这种增长归因于化合物半导体在高温、电压和频率下工作的能力。此外，市场上的各个主要参与者正在采取业务策略。例如，

• 2021年，安森美半导体完成了对美国SiC制造商GT Advanced Technologies的收购。同年，湖南三安半导体在中国建成了一条耗资25亿美元的碳化硅生产线，涵盖晶体生长、功率器件制造、封装和测试等完整供应链。此举将有助于公司扩大在电力电子领域的业务。

按行业分析

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消费电子领域因小型化、外形尺寸和能源效率而占据主导地位

根据行业，市场分为消费电子、电信、能源和电力、汽车、航空航天和国防等。

就 2023 年的份额而言，消费电子领域占据市场主导地位。化合物半导体有助于开发更小、更轻、更紧凑的器件。这对于消费电子产品至关重要，因为消费电子产品对更薄的智能手机、轻便的可穿戴设备和时尚的笔记本电脑有着持续的需求。这些半导体能够在更小的封装中处理更高的电压和电流，有助于器件的小型化。此外，利用这些半导体实现的效率提升对于消费电子产品至关重要，因为电池寿命和能耗是消费电子产品的重要关注点。例如，GaN 和 SiC 组件可实现更高效的电源转换和管理，从而延长智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电池寿命。

预计能源和电力领域在预测期内将创下最高复合年增长率。半导体对于推进整个能源和电力行业的技术至关重要，从而实现更高效的能源生产、分配、存储和利用。该化合物半导体材料可用于光伏、电力电子、电动汽车和储能系统的器件。它们的持续开发和应用为实现可持续发展目标和提高能源系统的整体效率做出了重大贡献。

区域见解

根据地理位置，对北美、南美、欧洲、中东和非洲以及亚太地区的市场进行了研究。

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2023 年，亚太地区将占据主要的化合物半导体市场份额。较低的制造成本有助于降低总体运营费用并增加利润。该地区电子制造业的预期增长可能会推动未来几年的产品需求。除此之外，中国等国家5G基础设施的不断增长正在推动市场需求。根据中华人民共和国国务院2023年报告，截至2023年10月，中国已建设5G基站约322万个，占移动基站总数的28.1%。

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预计欧洲在预测期内将以最高的速度增长。由于该地区强大的制造能力、技术进步和多元化的行业，该市场正在蓬勃发展，并拥有巨大的增长机会。意大利、法国和德国是全球最著名的汽车制造中心。这导致该地区对先进半导体芯片的高需求。此外，半导体芯片制造自动化程度的提高将提高微芯片的产能，这将推动市场的增长。

预计在预测期内，北美将成为市场第二高的增长率。该地区在先进技术和半导体研究方面的专业知识为市场的发展提供了有利的环境。美国5G网络的迅速实施将增加对高性能化合物半导体的需求，例如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），这对于5G基础设施至关重要。

预计中东和非洲市场在预测期内将出现显着增长。该地区正在大力投资基础设施发展，包括建立工业区、科技园区和经济特区。这些举措旨在吸引外国投资，培养本地制造能力，并为化合物半导体制造商开展业务创造有利的环境。

南美洲有望在预测期内实现显着增长。随着该地区城市化进程以及能源和电力基础设施的扩建，对涡轮机和太阳能发电厂等可促进发电的 IC 的需求不断增加。

主要行业参与者

市场参与者使用各种业务增长策略来扩大其影响力

市场上的一些主要公司致力于通过在其产品组合中提供更高的电子迁移率、更大的设计灵活性和独特的性能来提供先进的化合物半导体。这些组织正在与其他小型和本地公司达成收购协议，以扩大其业务范围和全球足迹。许多其他策略，例如投资、并购以及合作伙伴关系也将有助于增加对这些半导体的需求。

顶级化合物半导体公司名单：

• 德州仪器公司（美国）
• Qorvo, Inc.（美国）
• Skyworks Solutions Inc.（美国）
• 博通公司（美国）
• 台湾积体电路制造股份有限公司（中国台湾）
• NXP Semiconductors N.V.（荷兰）
• 英飞凌科技股份公司（德国）
• 瑞萨电子株式会社（日本）
• Wolfspeed, Inc.（美国）
• ams-OSRAM AG（奥地利）

主要行业发展：

• 2024 年 3 月：Wolfspeed, Inc. 完成了 John Palmour SiC 制造中心的建设阶段，该项目价值 50 亿美元。参议员 Thom Tillis（北卡罗来纳州共和党）与社区合作伙伴、当地官员和员工一起参加了此次活动。 JP 制造中心位于北卡罗来纳州查塔姆县，将致力于生产 200 毫米碳化硅晶圆。这将显着增强 Wolfspeed 材料的能力，以满足对人工智能和能源转型至关重要的下一代半导体不断增长的需求。
• 2024 年 1 月：英飞凌科技股份公司 (Infineon Technologies AG) 和 Wolfspeed, Inc. 透露，他们正在扩大当前的长期 150 毫米碳化硅晶圆供应合同。此次扩展的合作伙伴关系包括一项跨越多年的容量预留协议。它旨在增强英飞凌的整体供应链弹性，特别是为了满足汽车、太阳能、电动汽车应用和能源存储系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
• 2023 年 1 月：英飞凌科技股份公司与 SiC 供应商 SK Siltron CSS 签订正式协议。 SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力和高品质的顶级150毫米SiC晶圆，这将支持SiC半导体的制造。此外，SK Siltron CSS 将在帮助英飞凌向 200 毫米晶圆直径过渡方面发挥关键作用。
• 2023 年 1 月：Wolfspeed 与德国主要汽车制造商采埃孚 (ZF Friedrichshafen) 拟在德国建设一座耗资 30 亿美元的晶圆厂，生产用于电动汽车和其他领域的芯片。
• 2022 年 5 月：Qorvo 推出了最新版本的 1200V SiCFET，称为 UF4C/SC 系列。这些新的第 4 代 SiCFET 是通过收购 UnitedSiC 引入的，专为 800V 总线架构量身定制。它们适用于工业电池、电动汽车、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、不间断电源、感应加热应用和焊接机的车载充电器。

报告覆盖范围

报告对市场进行了详细分析，重点关注领先公司、领先type、产品和行业等关键方面。此外，它还提供了对市场趋势的洞察并突出了关键的行业发展。除了上述因素外，报告还涵盖了近年来推动市场增长的几个因素。

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