替代硅的下一代材料SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)正引起广泛关注。 GaN 和 SiC 功率半导体是小型且可靠的功率器件,在效率方面优于硅基器件。在汽车电子、工业电机和光伏逆变器等各种功率应用中,这些 GaN 和 SiC 功率半导体有助于最大限度地减少体积、重量和生命周期成本。硅是一种简单的材料。 SiC 是碳和硅的组合,而 GaN 是镓和氮的化合物。因此,使用这些化学品的半导体被称为“化合物半导体”。GaN 和 SiC 的带隙比硅更大,因此被称为“宽带隙半导体”。 “介电击穿场强用于识别宽带隙半导体。当旨在获得相同的击穿电压时,这使得耐压层可以制造得比硅薄得多。
近年来,半导体材料中使用的 SiC 晶圆基板质量的提高导致了更大直径晶圆的使用。结果,高电流、低成本器件被创造出来并开始用于各种设备。另一方面,GaN晶圆衬底仍然昂贵,因此大多数人使用在低成本硅衬底上生产GaN有源层的水平布置。尽管制造高电流产品具有挑战性,但预计 GaN 将用于需要超高速开关操作的应用。
2020年,疫情危机对GaN和SiC功率半导体市场的增长产生了重大影响。多个国家实施了封锁,导致市场领导者和最终用途原始设备制造商(例如电动汽车制造商、太阳能组件制造商等)的多个生产基地关闭。另一方面,停工推动了在家工作的趋势,并为本地企业提供了在计算设备领域、UPS 和其他领域获得实质性优势的机会。此外,疫情还鼓励 GaN 和 SiC 功率半导体公司扩大其在新地点的地理足迹,以重新调整供应链运营。
主要市场驱动因素 -
Factors like rising government initiatives, increasing penetration of electric vehicles and technology innovation are growing to drive the GaN & SiC Power Semiconductor Market.
主要市场限制 -
High manufacturing cost and Usage of conventional silicon materials will restrain the market growth.
Alpha and Omega Semiconductor、富士电机株式会社、英飞凌科技股份公司、Littelfuse, Inc.、Microsemi、三菱电机株式会社、瑞萨电子株式会社、ROHM SEMICONDUCTOR、SANKEN ELECTRIC CO.,LTD.、意法半导体、Epiluvac、IQE PLC、Transphorm Inc.、SweGaN、Saint-Gobain、GeneSiC Semiconductor Inc.、Sublime Technologies 等是该市场的主要参与者。
由于美国太阳能发电厂安装数量不断增加,北美的GaN和SiC功率半导体行业预计将快速发展。根据太阳能产业协会2020年12月发布的新闻稿,2020年第三季度,
在亚太地区,GaN 和 Sic 功率半导体器件正在迅速获得市场份额,在消费和企业、电信、汽车和工业等许多应用领域,GaN 和 Sic 器件逐渐取代硅器件。在制造和分销方面,中国是宽带隙半导体行业最大的原材料供应国。预计这也将对亚太地区GaN和SiC半导体器件市场的销售增长产生间接的有益影响。
由于政府加大力度推动国内电动汽车的普及,欧洲的 GaN 和 SiC 电力市场正在以惊人的速度发展。例如,德国政府在2021年3月表示将为电动汽车充电基础设施提供资金。参与区域市场的公司将从这些支持努力中受益,这将帮助他们加速增长。
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