"Stratégies intelligentes, donnant une vitesse à votre trajectoire de croissance"
InGaAs est formé d'un alliage d'arséniure d'indium et d'arséniure de gallium et ce matériau est couramment utilisé comme substrat dans les capteurs d'image. Le capteur d'images InGaAs est un appareil doté d'un circuit intégré CMOS intégré et couvrant les régions proche infrarouge (NIR), visible (VIS) et infrarouge à courte longueur d'onde (SWIR). Il est utilisé en vision industrielle pour l’imagerie industrielle, dans les caméras scientifiques pour la microscopie et dans les spectromètres pour la spectrométrie.
L’un des principaux facteurs à l’origine de la croissance du capteur d’image InGaAs est l’adoption croissante de smartphones dotés d’une caméra haute résolution par les clients du monde entier. Les fabricants de smartphones développent leurs produits avec des fonctionnalités de caméra supérieures, ce qui augmente la demande de capteurs d'image InGaAs. En outre, la demande de capteurs d'image CMOS augmente parmi les fabricants, en raison de divers avantages tels que la disponibilité du capteur dans une taille compacte à un prix abordable. En raison de ces facteurs, la demande de capteurs d’images InGaAs augmente rapidement dans les secteurs de l’automobile, de l’automatisation industrielle, de l’électronique grand public et de la santé, ce qui devrait stimuler la demande sur le marché au cours de la période de prévision.
L’épidémie de COVID-19 a mis à rude épreuve l’économie de diverses manières à travers le monde, signalant une perturbation sans précédent des échanges commerciaux, car elle a contraint de nombreuses usines de fabrication à réduire la production de capteurs d’image InGaAs. Les problèmes à court terme pour les fabricants comprennent la santé et la sécurité, la main-d'œuvre, la chaîne d'approvisionnement, la demande des clients et les flux de trésorerie. Afin de se remettre de l’impact de la pandémie, les acteurs du marché se concentrent de plus en plus sur les contre-mesures et les alternatives pour minimiser l’impact.
Le rapport couvrira les informations clés suivantes :
Par type, le capteur d’image de zone détient la plus grande proportion du marché mondial des capteurs d’image InGaAs. En raison d'une efficacité quantique élevée et d'une sensibilité élevée. Ces capteurs sont principalement utilisés pour l'imagerie NIR, l'imagerie hyperspectrale et le dépistage pour la détection d'objets étrangers et les applications de sécurité et de surveillance. De plus, les capteurs d’images de zone sont capables de détecter les rayons infrarouges proches (NIR) invisibles à l’œil humain. Les capteurs d'images linéaires sont largement utilisés dans les équipements de diagnostic médical et de détection d'objets, en raison de leur capacité de détection d'images infrarouges à grande vitesse. Ces capteurs sont faciles à utiliser, c’est pourquoi ils devraient connaître une croissance importante au cours de la période de prévision.
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L’Amérique du Nord devrait être la région connaissant la croissance la plus rapide en raison de la demande croissante de capteurs d’images InGaAs dans les domaines de la recherche scientifique, de l’automatisation industrielle et du secteur militaire et de la défense. En outre, la présence importante d’acteurs clés dans la région alimente la croissance du marché des capteurs d’image InGaAs. Les principaux acteurs du marché investissent considérablement dans les activités de recherche et développement pour intégrer des technologies innovantes dans les capteurs. De plus, les capteurs d'image InGaAs sont largement utilisés dans le secteur militaire et de la défense pour capturer des images claires dans des environnements difficiles et à faible luminosité avec une grande efficacité. En outre, l'adoption de ces caméras joue un rôle important dans les applications de sécurité et de surveillance dans le secteur de la défense.
La répartition du capteur d'image InGaAs par région d'origine comme suit :
Le rapport comprendra les profils d'acteurs clés tels que Hamamatsu Photonics K.K., United Technologies Corporation, Chunghwa Leading Photonics Tech, First Sensor AG, FLIR Systems, Inc., Jenoptik, Luna, New Imaging Technologies, Sofradir Group, SemiConductor Devices, Teledyne Technologies. Inc., Xenics et autres.
Par type | Par longueur d'onde | Par candidature | Par secteur d'utilisation finale | Par géographie |
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